【摘要】本發明公開了一種異步時鐘信號切換的實現電 路及方法，預先設置狀態機，在狀態機狀態發生變化時，關閉 當前異步時鐘信號；選定目標異步時鐘信號；打開目標異步時 鐘信號作為當前異步時鐘信號并輸出。本發明避免了異步時 鐘信號間切換時產生的毛刺
【摘要】 本發明公開了一種在硅(111)襯底上制備高質量 氧化鋅單晶薄膜的方法，即分五步依次在超高真空環境下熱處 理硅襯底獲得清潔的Si(111)面：1.低溫沉積1～10nm厚的金屬 單晶薄膜如鎂、鈣、鍶、鎘等，2.低溫氧化金屬膜以獲得金屬 氧化物單晶層，3.低溫沉積氧化鋅緩沖層，4.以及高溫沉積氧 化鋅層，5.制備高質量氧化鋅單晶薄膜；其優越的光電性能表 明該薄膜非常適合于高性能光電子器件的制作。高質量硅基氧 化鋅薄膜在光電集成方面具有巨大的應用前景，因此，本發明 具有重大的工業應用價值。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院物理研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100080北京市海淀區中關村南三街8號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610064977.5 【申請日】2006-03-20 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1912194A 【公開公告日】2007-02-14 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100422394C 【授權公告日】2008-10-01 【授權公告年份】2008.0 【IPC分類號】C30B29/16; H01L31/18; C30B29/10 【發明人】杜小龍; 王喜娜; 曾兆權; 袁洪濤; 梅增霞; 薛其坤; 賈金鋒 【主權項內容】1、一種在硅(111)襯底上制備高質量氧化鋅單晶薄膜的方法，其步驟 如下： 1)通過公知的氫氟酸刻蝕法去除硅(111)襯底表面的氧化層，然后導 入超高真空制膜系統；其中，超高真空制膜系統的樣品臺具有加熱和冷 卻功能； 2)超高真空下，升溫至750～950℃高溫下去除殘余氧化硅層，獲 得清潔的硅襯底表面； 3)將上述硅襯底降溫至100～-150℃，沉積1～10nm厚金屬鎂、鈣、 鍶或鎘單晶層，然后利用氧氣或活性氧源對金屬薄膜進行氧化處理，獲 得巖鹽相金屬氧化物單晶薄膜； 4)在上述金屬氧化物層上采用公知的二步生長法沉積ZnO膜，即在 -150～350℃低溫下沉積5～50nmZnO緩沖層；及 5)在400～700℃溫度下沉積300～1000nm？ZnO外延層，可得到高 質量ZnO薄膜。 【當前權利人】中國科學院物理研究所 【當前專利權人地址】北京市海淀區中關村南三街8號 【統一社會信用代碼】12100000400012174C 【引證次數】1.0 【被引證次數】17 【他引次數】1.0 【被自引次數】4.0 【被他引次數】13.0 【家族引證次數】8.0 【家族被引證次數】26
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