【摘要】本實用新型公開了一種用于激光顯示的激光勻化耦合裝置，包括三色激光光源和會聚裝置；所述三色激光光源由至少一個紅色激光器、至少一個綠色激光器和至少一個藍色激光器組成，所述會聚裝置包括多根耦合光纖和一套管，每根所述耦合光纖與所述激光器一一
【摘要】 本發明提供了一種基于MgB2薄膜材料制作的探測器，包括：一基底，在基底上生長一層MgB2膜，其中MgB2膜厚度在10納米～10微米；電極設置在MgB2膜兩端，第一電極引線和第二電極引線連接在電極上，并且在兩個電極引線之間串聯一電阻，兩個電極引線的末端連接放大電路和電壓測試設備。該探測器在波長10nm－400nm光照射下可以獲得6－25毫伏以上的直接光生伏特信號。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院物理研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100080北京市海淀區中關村南三街8號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610001810.4 【申請日】2006-01-20 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101005103A 【公開公告日】2007-07-25 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100541827C 【授權公告日】2009-09-16 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L31/09; H01L31/18; H01L49/00; G01J1/02 【發明人】趙嵩卿; 周岳亮; 趙昆; 王淑芳; 劉震; 韓鵬; 金奎娟; 陳正豪; 呂惠賓; 程波林; 何萌; 楊國楨 【主權項內容】1.一種日光盲的紫外光光探測器，一基底(8)，在基底(8)上生長一層 MgB2薄膜層(1)；其中MgB2薄膜層(1)厚度在10納米～10微米；第一電極 (2)和第二電極(3)設置在MgB2薄膜層(1)上，第一電極引線(4)和第二 電極引線(5)分別連接在第一電極(2)和第二電極(3)上，并且在第一電極 引線(4)和第二電極引線(5)之間并聯一個電阻(6)，兩個電極引線的輸出端 連接放大電路或連接電壓測試設備(9)。 【當前權利人】中國科學院物理研究所 【當前專利權人地址】北京市海淀區中關村南三街8號 【統一社會信用代碼】12100000400012174C 【被引證次數】3 【被他引次數】3.0 【家族引證次數】3.0 【家族被引證次數】3
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