【摘要】一種不對稱的脊形波導氮化鎵基半導體激光器，包括：一襯底；在該襯底依次生長的歐姆接觸層、下限制層、下波導層、有源層、電子阻擋層、上波導層、上限制層、覆蓋層，經過刻蝕后該上限制層形成臺階狀結構，并制作絕緣層及歐姆電極。其是利用刻蝕方法在
【專利類型】外觀設計 【申請人】樂金電子(中國)研究開發中心有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】100022北京市朝陽區建國門外大街乙12號雙子座大廈西塔21層 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】朝陽區 【申請號】CN200630021681.6 【申請日】2006-03-03 【申請年份】2006 【公開公告號】CN3607853D 【公開公告日】2007-02-07 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN3607853D 【授權公告日】2007-02-07 【授權公告年份】2007.0 【發明人】王慶華; 樸光春 【主權項內容】無 【當前權利人】樂金電子(中國)研究開發中心有限公司 【當前專利權人地址】北京市朝陽區建國門外大街乙12號雙子座大廈西塔21層 【專利權人類型】有限責任公司(外國法人獨資) 【統一社會信用代碼】91110105744704182F
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