【專利類型】外觀設計【申請人】漢王科技股份有限公司【申請人類型】企業【申請人地址】100094北京市海淀區東北旺西路8號5號樓三層【申請人地區】中國【申請人城市】北京市【申請人區縣】海淀區【申請號】CN200630306055.1【申請日】
【摘要】 一種不對稱的脊形波導氮化鎵基半導體激光器，包括：一襯底；在該襯底依次生長的歐姆接觸層、下限制層、下波導層、有源層、電子阻擋層、上波導層、上限制層、覆蓋層，經過刻蝕后該上限制層形成臺階狀結構，并制作絕緣層及歐姆電極。其是利用刻蝕方法在平行于結的方向形成不對稱脊形波導GaN基激光器結構，該結構在脊形條寬較大時也可以實現激光器在基模下工作，這種結構的脊形寬度較普通脊形結構實現基模工作所允許的脊形寬度大，在注入電流密度相同的情況下，可以增加注入電流，從而提高激光器在基模工作時的輸出功率。 ： 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院半導體研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100083北京市海淀區清華東路甲35號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610067460.1 【申請日】2006-03-29 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101047300A 【公開公告日】2007-10-03 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100459331C 【授權公告日】2009-02-04 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01S5/22; H01S5/343; H01S5/323; H01S5/00 【發明人】李德堯; 張書明; 楊輝; 梁俊吾 【主權項內容】1、一種不對稱的脊形波導氮化鎵基半導體激光器，其特 征在于，其中包括： 一襯底； 一歐姆接觸層，該歐姆接觸層制作在襯底上； 一下限制層，該下限制層制作在歐姆接觸層上，該下限制 層的面積小于歐姆接觸層； 一下波導層，該下波導層制作在下限制層上； 一有源層，該有源層制作在下波導層上； 一電子阻擋層，該電子阻擋層制作在有源層上； 一上波導層，該上波導層制作在電子阻擋層上； 一上限制層，該上限制層制作在上波導層上，該上限制層 在刻蝕后形成臺階狀結構，越是上面的一層面積越小； 一覆蓋層，該覆蓋層生長在上限制層的上面，脊形結構刻 蝕結束后，只有面積最小的部分上限制層上保留覆蓋層； 一絕緣層，該絕緣層制作在部分歐姆接觸層、部分上限制 層上，以及下限制層、下波導層、有源層、電子阻擋層、上波 導層、上限制層和覆蓋層的一側； 一歐姆電極，該歐姆電極制作在歐姆接觸層上； 一歐姆電極，該歐姆電極制作在覆蓋層的上表面及上限制 層和覆蓋層上的絕緣層上。 【當前權利人】中國科學院半導體研究所 【當前專利權人地址】北京市海淀區清華東路甲35號 【統一社會信用代碼】12100000400012385U 【被引證次數】13 【被他引次數】13.0 【家族引證次數】4.0 【家族被引證次數】14
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