【摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種在硅(111)襯底上制備高質(zhì)量 氧化鋅單晶薄膜的方法，即分五步依次在超高真空環(huán)境下熱處 理硅襯底獲得清潔的Si(111)面：1.低溫沉積1～10nm厚的金屬 單晶薄膜如鎂、鈣、鍶、鎘等，2.低溫氧化金屬膜以獲得金屬
【摘要】 一種LTE系統(tǒng)中支持UE移動(dòng)性的方法，其中， UE在兩個(gè)ENB之間移動(dòng)，包括步驟：源ENB根據(jù)從UE收 到的“測(cè)量報(bào)告”決定UE要切換到另外一個(gè)目的ENB的小區(qū)， 并發(fā)送“資源請(qǐng)求”消息給目的ENB；目的ENB發(fā)送“資源 響應(yīng)”消息給源ENB，并將分配的資源發(fā)送給源ENB；目的 ENB發(fā)送“UP注冊(cè)”消息向EGGSN注冊(cè)；源ENB發(fā)送“切 換命令”給UE；目的ENB收到從UE來(lái)的“切換完成”消息。 本發(fā)明保證了UE在兩個(gè)ENB之間移動(dòng)時(shí)數(shù)據(jù)不丟失，并解決 了數(shù)據(jù)在兩個(gè)ENB之間的轉(zhuǎn)發(fā)問(wèn)題。本發(fā)明簡(jiǎn)單、可靠、高 效。。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】北京三星通信技術(shù)研究有限公司; 三星電子株式會(huì)社 【申請(qǐng)人類型】企業(yè) 【申請(qǐng)人地址】100081北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街9號(hào)理工科技大廈4層 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】北京市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610079508.0 【申請(qǐng)日】2006-04-25 【申請(qǐng)年份】2006 【公開(kāi)公告號(hào)】CN1933664A 【公開(kāi)公告日】2007-03-21 【公開(kāi)公告年份】2007 【發(fā)明人】許麗香; 李小強(qiáng) 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種LTE系統(tǒng)中支持UE移動(dòng)性的方法，其中，UE在兩個(gè)ENB之間移 動(dòng)，包括步驟： 源ENB根據(jù)從UE收到的“測(cè)量報(bào)告”決定把UE切換到另外一個(gè)目 的ENB的小區(qū)，并發(fā)送“資源請(qǐng)求”消息給目的ENB； 目的ENB發(fā)送“資源響應(yīng)”消息給源ENB，并將分配的資源發(fā)送給源 ENB； 源ENB發(fā)送“切換命令”給UE； 目的ENB收到從UE來(lái)的“切換完成”消息。 【當(dāng)前權(quán)利人】北京三星通信技術(shù)研究有限公司; 三星電子株式會(huì)社 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街9號(hào)理工科技大廈4層; 韓國(guó)京畿道水原市靈通區(qū)三星路129號(hào) 【專利權(quán)人類型】有限責(zé)任公司(外國(guó)法人獨(dú)資) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】91110105717749211A 【被引證次數(shù)】13 【被他引次數(shù)】13.0 【家族被引證次數(shù)】53
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