【摘要】本實用新型公開了一種超音波霧化裝置改良結構，至少包括一基座，一振蕩芯片，其特征在于：所述基座表面凹設有一容置空間，于該容置空間內底部設有一緩沖墊圈；所述振蕩芯片設于該基座的容置空間內，并可與一電源的電極接觸；所述振蕩芯片上方周緣設有
【摘要】 本發(fā)明提供一半導體元件以及該半導體元件的 制造方法與制造裝置，特別是有關于在金屬層的稀疏布局區(qū)域 插入虛置圖案的方法以及裝置。虛置圖案被用來解決因半導體 的有效圖案密度不平均而導致的研磨后薄膜厚度不平坦問題。 本發(fā)明另說明一演算法，該演算法根據(jù)金屬層有效圖案決定虛 置圖案的尺寸和位置，其中步驟包括：首先以小型虛置填充環(huán) 繞金屬內連線，然后以大型虛置填充填補剩下的空白區(qū)域。本 發(fā)明所述一半導體元件以及該半導體元件的制造方法與制造 裝置，可在使用化學機械研磨拋光一層間氧化膜時，防止不平 坦表面形成。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業(yè)園區(qū)新竹市力行六路八號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610067317.2 【申請日】2006-03-13 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1897247A 【公開公告日】2007-01-17 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN1897247B 【授權公告日】2012-07-18 【授權公告年份】2012.0 【IPC分類號】H01L21/768; H01L23/528; H01L21/70; H01L23/52 【發(fā)明人】陳憲偉; 蔡豪益; 陳學忠; 鄭心圃; 林建宏; 林志濤; 許仕勛 【主權項內容】1.一種半導體元件的制造方法，用以減少膜圖案密度失配， 其特征在于，所述半導體元件的制造方法包括： 提供一基板，該基板上具有一布局圖案密度分布，該布局圖 案密度分布是根據(jù)位于該基板表面的至少一個內連線來決定； 定義一第一填充圖案，該第一填充圖案具有多個小型虛置填 充并且定義一小型虛置填充陣列，根據(jù)上述內連線，該小型虛置 填充陣列間隔地排列； 判別一延伸區(qū)，該延伸區(qū)位于該基板表面上并且不包括上述 小型虛置填充以及上述內連線； 定義一第二填充圖案，該第二填充圖案具有至少一個大型虛 置填充，上述大型虛置填充包含一部分上述延伸區(qū)； 其中上述第二填充圖案定義一大型虛置填充陣列，該大型虛 置填充陣列與上述小型虛置填充陣列為互相獨立。 【當前權利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業(yè)園區(qū)新竹市力行六路八號 【被引證次數(shù)】11 【被自引次數(shù)】3.0 【被他引次數(shù)】8.0 【家族引證次數(shù)】5.0 【家族被引證次數(shù)】211
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