【摘要】本實用新型公開了一種工具箱結構，包含一面端緣環設有凹陷槽的底板單元；二至少由板體及嵌接部所構成的面板單元，各面板單元設于底板單元的二端面，并使一端的嵌接部嵌合于底板單元二端的凹陷槽中；二至少由板體及嵌接部所構成的側板單元，各側板單元
【摘要】 一種制造具有不同電壓承受力元件的方法，包含：在P型襯底中，在高壓元件區域中形成至少一個高壓阱；在低壓元件區域中形成至少一個N型阱；在低壓元件區域中形成至少一個P型阱；在高壓元件區域中形成源極/漏極阱和在隔離區 域中形成隔離阱。并經由調整離子摻雜分布來調整擊穿電壓。此外，調整注入導電離子的參數以用于將導電離子注入高壓元件區域和低壓元件區域兩者中。形成于元件之間的隔離區域中的所述隔離阱用于將形成于高壓元件區域上的元件與形成于低壓元件區域上的元件相分離。高壓柵極氧化層的厚度厚于低壓柵極氧化層的厚度以用于調整高壓元件和低壓元件的閾值電壓。 【專利類型】發明申請 【申請人】崇貿科技股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣臺北縣 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610009493.0 【申請日】2006-02-23 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101026127A 【公開公告日】2007-08-29 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L21/8234; H01L21/8238; H01L21/70 【發明人】黃志豐; 楊大勇; 林振宇; 簡鐸欣 【主權項內容】1.一種制造具有不同電壓承受力元件的工藝，包含以下步驟： 提供襯底，例如P型襯底，其中低壓元件區域、高壓元件區域和隔離區 域可形成于其中； 在所述襯底中形成至少一高壓阱； 在所述低壓元件區域中形成至少一N型阱，在所述低壓元件區域中形成 至少一P型阱，在所述高壓元件區域中形成源極/漏極阱且在所述隔離區域 中形成隔離阱； 在所述襯底上形成圖樣氮化層； 在所述隔離區域上形成場氧化層； 在所述高壓元件區域上形成高壓柵極氧化層； 在所述低壓元件區域和所述高壓元件區域上方形成低壓柵極氧化層； 在所述高壓元件區域和所述低壓元件區域上形成多晶硅層；和 在所述高壓元件區域和所述低壓元件區域中形成P+型源漏極區域與N+ 型源漏級區域。 【當前權利人】崇貿科技股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣臺北縣 【被引證次數】5 【被他引次數】5.0 【家族被引證次數】5
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