【摘要】本發明是提供一種半導體裝置及其制作方法。其中半導體裝置具有一理想化應力于溝道區域之中，此半導體裝置包含一柵極位于一基底上方，一第一間隙壁形成于柵極側壁上，且在該第一間隙壁下方存在一非硅化區域，包含一凹槽的一源漏極區域形成于上述基底之
【摘要】 本發明公開了一種存儲器器件，其包括具有側壁 與頂側的第一凹盤型電極、具有側壁與頂側的第二凹盤型電 極、以及位于第一側壁與第二側壁之間的絕緣壁。此絕緣壁在 第一與第二側壁之間、接近相對應的頂側處具有厚度。存儲器 材料導橋橫跨此絕緣壁，并定義在第一與第二電極之間的、橫 跨絕緣壁的電極間路徑。本發明還提供該存儲器單元的陣列。 存儲器材料導橋具有次平版印刷的尺寸。 【專利類型】發明申請 【申請人】旺宏電子股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610136558.8 【申請日】2006-10-25 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1967895A 【公開公告日】2007-05-23 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100593866C 【授權公告日】2010-03-10 【授權公告年份】2010.0 【IPC分類號】H01L45/00; H01L27/24; G11C11/56 【發明人】龍翔瀾; 陳士弘 【主權項內容】1、一種存儲器器件，包括： 第一凹盤型電極，其具有第一側壁結構，所述第一側壁結構具有 頂側、且在所述頂側處具有寬度； 第二凹盤型電極，其具有第二側壁結構，所述第二側壁結構具有 頂側、且在所述頂側處具有寬度； 絕緣壁，其位于所述第一側壁結構與所述第二側壁結構之間，所 述絕緣壁在所述第一與第二側壁結構之間、接近所述第一側壁結構的 頂側與所述第二側壁結構的頂側處具有厚度； 導橋，其橫跨所述絕緣壁、所述第一側壁結構的頂側與所述第二 側壁結構的頂側，所述導橋具有第一側與第二側，并在所述第一側接 觸所述第一與第二側壁結構的所述頂側，并定義在所述第一與第二側 壁結構之間的、橫跨所述絕緣壁的電極間路徑，所述電極間路徑的路 徑長度由所述絕緣壁的所述厚度定義，其中所述導橋包括存儲器材 料。 【當前權利人】旺宏電子股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【引證次數】3.0 【被引證次數】6 【他引次數】3.0 【被他引次數】6.0 【家族引證次數】8.0 【家族被引證次數】6
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