【摘要】一種薄形發光風扇，至少包含：一具中央轉軸的 中空框體、一具輪轂的扇葉體、一扇葉驅動組以及一發光結構； 其中，該扇葉樞設于中空框體所設的轉軸，并透過該扇葉驅動 組來驅動扇葉體旋轉，該扇葉驅動組與該發光結構徑向設置于 該扇葉體的輪轂及中
【摘要】 本發明提供一種半導體元件及其形成方法，具體 涉及用來預防尖端引發電容漏電流的元件及其形成方法。是以 較厚的底部電極填滿導致尖端形成的微溝槽。另一方式則是， 將接觸插塞形成凹陷以降低微溝槽的形成。本發明所述半導體 元件及其形成方法，可避免尖端的形成，進而改善制程可靠度。 【專利類型】發明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】臺灣省新竹科學工業園區新竹市力行六路八號 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610059808.2 【申請日】2006-03-15 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1901202A 【公開公告日】2007-01-24 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100428478C 【授權公告日】2008-10-22 【授權公告年份】2008.0 【IPC分類號】H01L27/108; H01L27/102; H01L27/06; H01L27/00; H01L21/8242; H01L21/8222; H01L21/82 【發明人】涂國基 【主權項內容】1.一種半導體元件，其特征在于，所述半導體元件包括： 一接觸插塞；以及 一電容，偏移設置在該接觸插塞上，該電容包括：一底部電 極，形成在該接觸插塞頂部及側壁上、一電容介電層，形成在該 底部電極上，以及一頂部電極，形成在該電容介電層上， 其中該底部電極以及該電容介電層的的總厚度Z至少滿足 Z≥Y或Z≥(1/2)X， 其中X代表該電容相對于該接觸插塞的偏移距離，而Y代表該 接觸插塞被該底部電極覆蓋的側壁的高度。 【當前權利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權人地址】臺灣省新竹科學工業園區新竹市力行六路八號 【被引證次數】3 【被他引次數】3.0 【家族引證次數】16.0 【家族被引證次數】27
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