【摘要】當投影裝置運作時，探測器檢測該投影裝置內部的溫度值，若一初始值與該溫度值的差異超過一預定變化量時，該投影裝置發出警告信號，以提示使用者更換濾網。【專利類型】發明申請【申請人】明基電通股份有限公司【申請人類型】企業【申請人地址】中國臺
【摘要】 本發明是提供一種半導體裝置及其制作方法。其中半導體裝置具有一理想化應力于溝道區域之中，此半導體裝置包含一柵極位于一基底上方，一第一間隙壁形成于柵極側壁上，且在該第一間隙壁下方存在一非硅化區域，包含一凹槽的一源/漏極區域形成于上述基底之中，以及一硅化區域位于上述源/漏極區域上。一階梯高度形成于硅化區域的一上部位與一下部位之間。凹槽與各自非硅化區域的邊緣間隔一間隙距離。階梯高度與間隙距離較佳的比例是約小于或等于3。其中非硅化區域的寬度與階梯高度較佳的比例是約小于或等于3。本發明所述的半導體裝置及其制作方法，通過修改金屬氧化物半導體裝置的尺寸，可理想化溝道中的應力，由此可改善半導體裝置的效能。 【專利類型】發明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行六路八號 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610138069.6 【申請日】2006-11-07 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101079443A 【公開公告日】2007-11-28 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100477269C 【授權公告日】2009-04-08 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L29/78; H01L21/336 【發明人】柯志欣; 葛崇祜; 陳宏瑋; 李文欽 【主權項內容】1.一種半導體裝置，其特征在于，該半導體裝置包含： 一基底； 一柵極，位于該基底的上方； 一非硅化區域，鄰接于該柵極，且設置于該基底上； 一源/漏極區域，包含一凹槽，且該源/漏極區域位于基底之中； 以及 一硅化區域，于該源/漏極區域上，其中該硅化區域具有一頂 部表面，其包含一下部位，及介于該下部位與該非硅化區域之間 的一上部位，該下部位的一頂部表面低于該上部位的一頂部表面 一個階梯高度，其中該非硅化區域的寬度與該階梯高度的比例小 于或等于3。 【當前權利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行六路八號 【引證次數】3.0 【被引證次數】10 【他引次數】3.0 【被自引次數】1.0 【被他引次數】9.0 【家族引證次數】31.0 【家族被引證次數】23
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