【摘要】一種雙并形面條成型刀具裝置，包含一個刀座、一個軸設在該刀座上的第一輥輪及一個并設在該第一輥輪一側且與該第一輥輪產生相對轉動的第二輥輪，該第一、二輥輪各具有多個第一、二切削單元及多個與所述第一切削單元交錯設置的第一塑形單元，且第一、二
【摘要】 一種運用金屬－硫系元素化合物的先驅物溶液制作主動層薄膜的方法，其步驟包括：合成含苯甲基或其衍生物和金屬－硫系元素的先驅物(metal－chalcogenide Precursor)，并將此先驅物溶于一溶劑中以制備成先驅物溶液，其中可在先驅物溶液中選擇加入一硫屬元素或化合物，以調整金屬離子與硫系元素的摩爾比。再以特定的涂布方式將此先驅物溶液涂布于基板上，經固化處理后以形成金屬－硫系元素化合物薄膜，藉此，取代目前采用的等離子體輔助化學氣相沉積(PECVD)制作的非結晶－硅(amorphous Si)主動層薄膜方法。 【專利類型】發明申請 【申請人】臺灣薄膜電晶體液晶顯示器產業協會; 中華映管股份有限公司; 友達光電股份有限公司; 廣輝電子股份有限公司; 瀚宇彩晶股份有限公司; 奇美電子股份有限公司; 財團法人工業技術研究院; 統寶光電股份有限公司 【申請人類型】企業,科研單位,機關團體 【申請人地址】臺灣省新竹縣 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610078173.0 【申請日】2006-04-28 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101064248A 【公開公告日】2007-10-31 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100459049C 【授權公告日】2009-02-04 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L21/208; H01L21/336; H01L21/02 【發明人】歐俊堯; 鄭華琦; 蕭名男; 莊博全; 王朝仁 【主權項內容】1、一種運用金屬-硫系元素化合物的先驅物溶液制作主動層薄膜的方 法，其特征在于，其步驟包括： 合成先驅物，其中該先驅物是含有苯甲基或其衍生物和金屬-硫系元素 的化合物； 將該先驅物溶于溶劑中，以制備成先驅物溶液； 利用涂布方式將該先驅物溶液涂布于基板上；及 將該基板干燥后進行固化流程以在基板上形成主動層薄膜。 【當前權利人】臺灣薄膜電晶體液晶顯示器產業協會; 中華映管股份有限公司; 友達光電股份有限公司; 廣輝電子股份有限公司; 瀚宇彩晶股份有限公司; 奇美電子股份有限公司; 財團法人工業技術研究院; 統寶光電股份有限公司 【當前專利權人地址】臺灣省新竹縣; 中國臺灣桃園市龍潭區華映路1號; 中國臺灣新竹科學工業園區; 臺灣省桃園縣; 中國臺灣臺北市內湖區行善路168巷15號4樓; 中國臺灣臺南縣; 中國臺灣新竹縣; 中國臺灣新竹科學工業區 【引證次數】2.0 【被引證次數】1 【他引次數】2.0 【被他引次數】1.0 【家族引證次數】6.0 【家族被引證次數】1
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