【摘要】本實用新型提供一種傳動單元的校正裝置，包括一傳動單元、一以可分離方式結合在所述傳動單元上的發光組件、分別設置在所述發光組件的第一平面、第二平面及第三平面上的第一氣泡管、第二氣泡管與第三氣泡管，當所述傳動單元靜止時，所述第一氣泡管、所
【摘要】 本發明提供一種控制半導體裝置柵極形成的方 法，包括測定在晶圓上隔離結構的階差高度；使用階差高度來 決定階差高度與過蝕刻時間之間的關連性；根據階差高度來決 定過蝕刻時間；以及用過蝕刻時間來蝕刻柵極。此方法更包括 顯影后檢視步驟，以測定柵極輪廓并微調柵極形成控制。晶圓 內非一致性可通過測定晶圓上階差高度非一致性以及通過調 整柵極制程而改善。本發明所述控制半導體裝置柵極形成的方 法，對于柵極形成控制，提供了一種簡單且有經濟效益的方法 及系統，而在產品的生產量上不會有顯著的減少。 【專利類型】發明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】臺灣省新竹科學工業園區新竹市力行六路八號 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610072446.0 【申請日】2006-04-13 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1905134A 【公開公告日】2007-01-31 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100419962C 【授權公告日】2008-09-17 【授權公告年份】2008.0 【IPC分類號】H01L21/28; H01L21/335; H01L21/66 【發明人】左佳聰; 賴俊宏; 吳玫真; 許立德; 蘇斌嘉; 陳柏仁 【主權項內容】1.一種控制半導體裝置柵極形成的方法，其特征在于，該控 制半導體裝置柵極形成的方法包括： 測定在一晶圓上一隔離結構的一階差高度； 使用階差高度與過蝕刻時間之間的一預設關連性來決定一過 蝕刻時間，以完成一期望柵極輪廓；以及 使用決定的該過蝕刻時間來在該晶圓上蝕刻一柵極。 【當前權利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權人地址】臺灣省新竹科學工業園區新竹市力行六路八號 【被引證次數】8 【被自引次數】3.0 【被他引次數】5.0 【家族引證次數】11.0 【家族被引證次數】55
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