【摘要】提供一種具有增進電流增益的橫向雙載子接面 電晶體與其形成方法。該電晶體包含一在基板上形成屬于第一 導通類型的井區,至少一射極位于井區內,屬于與第一導通類 型相反的第二導通類型,其中至少一射極中的每一個系彼此連 接;復數個集極,位于該
【專利類型】外觀設計 【申請人】林育興 【申請人類型】個人 【申請人地址】中國臺灣臺中縣 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200630014858.X 【申請日】2006-04-25 【申請年份】2006 【公開公告號】CN3637438D 【公開公告日】2007-04-25 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN3637438D 【授權公告日】2007-04-25 【授權公告年份】2007.0 【發明人】林育興 【主權項內容】無 【當前權利人】林育興 【當前專利權人地址】中國臺灣臺中縣
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