【摘要】本發明是提供一種半導體裝置及其制作方法。其中半導體裝置具有一理想化應力于溝道區域之中,此半導體裝置包含一柵極位于一基底上方,一第一間隙壁形成于柵極側壁上,且在該第一間隙壁下方存在一非硅化區域,包含一凹槽的一源漏極區域形成于上述基底之
【專利類型】外觀設計 【申請人】臺勵福股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣臺中縣 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200630131837.6 【申請日】2006-06-08 【申請年份】2006 【公開公告號】CN3628419D 【公開公告日】2007-04-04 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN3628419D 【授權公告日】2007-04-04 【授權公告年份】2007.0 【發明人】林溪文 【主權項內容】無 【當前權利人】臺勵福股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣臺中縣
未經允許不得轉載:http://m.mhvdw.cn/1776554649.html
喜歡就贊一下






