【專利類型】外觀設計【申請人】穩勝福股份有限公司【申請人類型】企業【申請人地址】臺灣省彰化縣【申請人地區】中國【申請人城市】臺灣省【申請號】CN200630146000.9【申請日】2006-09-18【申請年份】2006【公開公告號】CN
【摘要】 一種薄膜晶體管陣列的制造方法，其包含以下步驟。提供基板，該基板上形成有柵電極層、柵絕緣層與硅層。對該柵電極層、該柵絕緣層與該硅層進行圖案化，以定義出柵極區、柵極線與柵極線接線區。形成保護層于整個基板上。對保護層進行圖案化，以使在保護層中且位于柵極區的該硅層上形成兩個接觸窗，并且移除柵極線上部分區域的保護層與柵極線接線區上的保護層。形成離子布植層與金屬層于整個該基板上。對離子布植層與金屬層進行圖案化，以形成源極區、漏極區、數據線、數據線接線區與第二層柵極線接線區。形成像素電極于保護層上并且與漏極區電連接。通過此方法，只需要四道光刻掩膜便可以制造出薄膜晶體管陣列。 【專利類型】發明申請 【申請人】財團法人工業技術研究院 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】臺灣省新竹縣竹東鎮中興路四段195號 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610001698.4 【申請日】2006-01-24 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101009248A 【公開公告日】2007-08-01 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100514608C 【授權公告日】2009-07-15 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L21/84; H01L27/12; G02F1/1368; H01L21/70; G02F1/13 【發明人】陳昱丞 【主權項內容】1.一種薄膜晶體管陣列的制造方法，其特征是包括： 提供基板，該基板上形成有柵電極層、柵絕緣層與硅層； 對該柵電極層、該柵絕緣層與該硅層進行圖案化，以定義出柵極區、 柵極線與柵極線接線區； 形成保護層于整個該基板上； 對該保護層進行圖案化，以使在該保護層中且位于該柵極區的該硅層 上形成兩個接觸窗，并且移除部分該柵極線上的該保護層與該柵極線接線 區上的該保護層； 形成離子布植層與金屬層于整個該基板上； 對該離子布植層與該金屬層進行圖案化，以形成源極區、漏極區、數 據線、數據線接線區與第二層柵極線接線區；以及 形成像素電極于該保護層上并且與該漏極區電連接。。 【當前權利人】財團法人工業技術研究院 【當前專利權人地址】臺灣省新竹縣竹東鎮中興路四段195號 【引證次數】1.0 【被引證次數】9 【他引次數】1.0 【被他引次數】9.0 【家族引證次數】8.0 【家族被引證次數】9
未經允許不得轉載：http://m.mhvdw.cn/1776453556.html
喜歡就贊一下
