【摘要】本發明涉及一種半導體裝置及高壓P型金屬氧化 物半導體裝置，具體為具有靜電放電防護功能的高壓PMOS晶 體管的半導體裝置，包括PMOS晶體管、N型埋藏層以及P 型基底。PMOS晶體管包括設置于高壓P阱區中且摻雜P型雜 質的第一源漏極區
【摘要】 本發明涉及一種磁性存儲單元結構適用于雙態型模式存取操作的一磁性存儲裝置，包括一磁性固定迭層，做為一基層結構的一部份。一穿隧絕緣層位于該磁性固定迭層之上。一磁性自由迭層位于該穿隧絕緣層之上。一磁性偏壓迭層，位于該磁性自由迭層之上。其中，磁性偏壓迭層提供一偏壓磁場給該磁性自由迭層，以使一雙態操作區域更接近于一磁場零點。又，磁性偏壓迭層所產生的磁場作用也包括縮小鄰接于該雙態操作區域的一直接區域。 【專利類型】發明申請 【申請人】財團法人工業技術研究院 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】中國臺灣新竹縣 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610059116.8 【申請日】2006-03-14 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101038784A 【公開公告日】2007-09-19 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100593822C 【授權公告日】2010-03-10 【授權公告年份】2010.0 【IPC分類號】G11C11/15; G11C11/16; G11C11/02 【發明人】李元仁; 洪建中; 高明哲 【主權項內容】1.一種磁性存儲單元結構，適用于雙態型模式存取操作的一磁性存儲裝 置，該磁性存儲單元結構包括： 一磁性固定迭層，做為一基層結構的一部份； 一穿隧絕緣層，位于該磁性固定迭層之上； 一磁性自由迭層，位于該穿隧絕緣層之上，以及 一磁性偏壓迭層，位于該磁性自由迭層之上， 其中，該磁性偏壓迭層提供一偏壓磁場給該磁性自由迭層，以使一雙態 操作區域更接近于一磁場零點。 【當前權利人】財團法人工業技術研究院 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹縣 【引證次數】1.0 【他引次數】1.0 【家族引證次數】4.0
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