【摘要】本發明公開了一種改良型返馳式電源供應裝置，包括一控制器、一由控制器控制于一導通期與一非導通期作切換的開關元件、一第一轉換電路與一第二轉換電路，第一轉換電路具有一受開關元件控制電流通與否的第一變壓器，且第一變壓器于導通期與非導通期其中
【摘要】 本發明提供一種電壓控制的半導體結構、電壓控制的電阻器及其制造方法。該半導體結構包含一基板、一第一摻雜阱及一第二摻雜阱。該基板摻雜一第一型離子。該第一摻雜阱具有一第二型離子，且形成于該基板中。該第二摻雜阱具有一第二型離子，且形成于該基板中。該第一型離子與該第二型離子是互補的。在該第一摻雜阱與該第二摻雜阱之間形成一電阻器。該電阻器的電阻率由一差動電壓所控制。該電阻器的電阻率與該第一摻雜阱的一第一深度、該第二摻雜阱的一第二深度和及該第一摻雜阱與該第二摻雜阱之間的一距離相關。該電阻器的電阻率高于在具有該第二型離子的單一個摻雜阱中所形成的阱式電阻器的電阻率。 【專利類型】發明申請 【申請人】崇貿科技股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】臺灣省臺北縣新店市寶興路45巷8弄1號3樓 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610137402.1 【申請日】2006-10-16 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101022108A 【公開公告日】2007-08-22 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100539146C 【授權公告日】2009-09-09 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L27/04; H01L27/00; H01L21/822 【發明人】蔣秋志; 黃志豐 【主權項內容】1.一種半導體結構，其包含： 一基板，摻雜一第一型離子； 一第一摻雜阱區，具有一第二型離子，且形成于該基板中；以及 一第二摻雜阱區，具有一第二型離子，該第一型離子與該第二型離子互 補，且第二摻雜阱區形成于該基板中； 其中，該第一摻雜阱區與該第二摻雜阱區之間形成一電阻器，該電阻器 的電阻率與該第一摻雜阱區的一第一深度、該第二摻雜阱區的一第二深度及 該第一摻雜阱區與該第二摻雜阱區之間的一距離相關；以及該電阻器的電阻 率高于在具有該第二型離子的單一個摻雜阱區中所形成的阱區式電阻器的電 阻率。 【當前權利人】崇貿科技股份有限公司 【當前專利權人地址】臺灣省231臺北縣新店市寶興路45巷8弄1號3樓 【家族引證次數】6.0 【家族被引證次數】20
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