【摘要】本實用新型涉及一種雙頻高增益天線，包含有：一信號饋入部，設置于該天線基板的中心位置處，接收一饋入信號；及至少兩個雙頻輻射單元，與該雙工器回路部連接，輻射相應于該饋入信號的一第一頻率值與一第二頻率值的該射頻信號。該雙頻輻射單元為兩個，
【摘要】 本發明提供一種半導體元件及其形成方法，包括：一柵極電極以及接近該柵極電極的一源極區與一漏極區。一硅化區位于該柵極電極、該源極區或該漏極區的頂部表面上。一非硅化區，鄰近該硅化區并位于該柵極電極、該源極區或該漏極區頂部表面的邊緣。本發明所述的半導體元件及其形成方法，改善了傳統硅化制程所產生的問題，避免硅化物形成在柵極電極以及/或源極及漏極的邊緣，從而使漏電流降低。 【專利類型】發明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行六路八號 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610141051.1 【申請日】2006-09-28 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101043052A 【公開公告日】2007-09-26 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L29/78; H01L29/41; H01L21/336; H01L21/28 【發明人】吳成堡; 曾健庭; 湯乾紹 【主權項內容】1.一種半導體元件，其特征在于，該半導體元件包括： 一柵極電極； 一源極區以及一漏極區，分別位于該柵極電極的外側； 一硅化區，位于該柵極電極、該源極區或該漏極區之上；以 及 一非硅化區，相鄰于該硅化區，位于該柵極電極、該源極區 或該漏極區頂部表面邊緣區之上。。 【當前權利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行六路八號 【家族引證次數】8.0 【家族被引證次數】7
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