【摘要】本發(fā)明公開了一種多孔硅片及其制備方法 (Silicon on Porous－silicon，SOP)。本發(fā)明所提供的多孔硅片， 包括位于正面的硅層和與硅層一體成型的多孔硅層。本發(fā)明利 用多孔硅電化學(xué)加工技術(shù)在硅襯底上生長多孔硅能夠有
【摘要】 本實(shí)用新型公開了一種八路視頻輸入裝置。它包括合成部件和帶DRAM的視頻處理單元，其中所述合成部件，其將輸入的八路標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字視頻信號通過時(shí)鐘倍頻技術(shù)合成為兩個(gè)數(shù)字視頻信號流；所述視頻處理單元，其DRAM接收、存儲(chǔ)上述合成后的數(shù)字視頻信號流，通過分離還原得到八路數(shù)字視頻信號，并對這些信號分別進(jìn)行處理或壓縮，輸出八路對應(yīng)于輸入的視頻信號的數(shù)據(jù)。由于合成部件將八路視頻信號通過時(shí)鐘倍頻技術(shù)合成為兩個(gè)視頻信號流并且通過視頻處理單元分離還原得到八路對應(yīng)于輸入的視頻信號的數(shù)據(jù)，從而在保證圖像質(zhì)量的前提下通過兩個(gè)視頻口輸入八路視頻信號。 【專利類型】實(shí)用新型 【申請人】北京漢邦高科數(shù)字技術(shù)有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】100080北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街22號中科大廈A座403室 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200620137600.3 【申請日】2006-10-25 【申請年份】2006 【公開公告號】CN200962653Y 【公開公告日】2007-10-17 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN200962653Y 【授權(quán)公告日】2007-10-17 【授權(quán)公告年份】2007.0 【IPC分類號】H04N7/24; H04N5/14 【發(fā)明人】楊曄; 張海峰 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種八路視頻輸入裝置，它包括合成部件和帶DRAM的視頻處理單元， 其特征在于： 所述合成部件，其將輸入的八路標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字視頻信號通過時(shí)鐘倍頻技術(shù)合 成為兩個(gè)數(shù)字視頻信號流； 所述視頻處理單元，其DRAM接收、存儲(chǔ)上述合成后的數(shù)字視頻信號 流，通過分離還原得到八路數(shù)字視頻信號，并對這些信號分別進(jìn)行處理 或壓縮，輸出八路對應(yīng)于輸入的視頻信號的數(shù)據(jù)。 【當(dāng)前權(quán)利人】北京漢邦高科數(shù)字技術(shù)股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市海淀區(qū)長春橋路11號4號樓裙房南側(cè)1-12號房間 【被引證次數(shù)】4 【被他引次數(shù)】4.0 【家族被引證次數(shù)】4
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