【摘要】請求保護的外觀設(shè)計包含色彩。【專利類型】外觀設(shè)計【申請人】煙臺新馬圖電子科技有限公司北京科技中心【申請人類型】企業(yè)【申請人地址】100089北京市海淀區(qū)遠大路1號金源時代B區(qū)字寫樓905室【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】北京市【申請
【摘要】 本發(fā)明公開了屬于壓電薄膜材料制備技術(shù)的一種利用水基溶膠凝膠方法制備高居里點壓電薄膜的方法。此方法以鈦酸四丁酯和其他金屬陽離子的硝酸鹽和醋酸鹽為主要原料，以冰醋酸和去離子水為主要溶劑制備出穩(wěn)定的溶膠。通過旋轉(zhuǎn)涂覆鍍膜，快速退火處理形成結(jié)構(gòu)致密、成分均勻的壓電薄膜。此薄膜具有良好的壓電鐵電性能，居里點高達435℃，晶粒尺寸為20nm～100nm，有效壓電系數(shù)d33*約為80pC/N，可以和傳統(tǒng)PZT薄膜相媲美。薄膜厚度可以控制在150nm～1μm。此成果適用于制造各種高溫使用的壓電鐵電元器件，在航天、汽車、勘探等工業(yè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。 【專利類型】發(fā)明授權(quán) 【申請人】清華大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】100084北京市100084－82信箱 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610058722.8 【申請日】2006-03-03 【申請年份】2006 【公開公告號】CN100355697C 【公開公告日】2007-12-19 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100355697C 【授權(quán)公告日】2007-12-19 【授權(quán)公告年份】2007.0 【IPC分類號】C04B35/462; C04B35/624; H01L41/187 【發(fā)明人】王曉慧; 文海; 李龍土; 桂治輪 【主權(quán)項內(nèi)容】1.一種利用水基溶膠凝膠方法制備高居里點壓電薄膜的方法，其特征在于， 該方法包括以下步驟： 1)水基溶膠凝膠的制備 采用鈦酸四丁酯與鉍、鉛和鈧的硝酸鹽或醋酸鹽為主要原料，四種原料的摩 爾比例為Pb∶Ti∶Bi∶Sc＝x∶x∶(1-x)∶(1-x)，0.5≤x≤0.8；以冰醋酸、去離子水和少 量異丙醇為溶劑，以乙酰丙酮和甲酰胺為添加劑；首先將鈦酸四丁酯、異丙醇和 乙酰丙酮按體積比1∶a∶b，其中1≤a≤5，1≤b≤5；通過磁力攪拌混合均勻，然后加入 c倍鈦酸四丁酯體積的冰醋酸，其中5≤c≤15，攪拌10～30分鐘后加入鉍的硝酸鹽 或醋酸鹽，待完全溶解后加入d倍鈦酸四丁酯體積的去離子水，其中5≤d≤20，攪 拌10～30分鐘后按順序先后加入鉛和鈧的硝酸鹽或醋酸鹽；最后待前驅(qū)體溶液變 為澄清后，加入e倍鈦酸四丁酯體積的甲酰胺，1≤e≤5；所有的制備步驟都在空氣 和室溫下進行，將配置好的前驅(qū)體溶液放置10～15天老化形成溶膠； 2)壓電薄膜的制備 采用上述1)制備好的溶膠在結(jié)構(gòu)為Pt(111)/Ti/SiO2/Si的硅襯底上制備壓 電薄膜的步驟如下： (1)硅襯底的清洗，首先依次在去離子水中超聲清洗3～15分鐘；隨后用濃 度為12～18摩爾/升的硫酸或濃度為6～10摩爾/升的過氧化氫處理20～40分鐘； 最后將處理后的硅襯底洗凈烘干即可使用； (2)利用注射器將溶膠通過孔徑為200微米的過濾器滴在清洗好的硅襯底上， 采用旋涂法鍍膜，先在300～800轉(zhuǎn)/分的轉(zhuǎn)速下勻膠5～15秒，然后在2000～6000 轉(zhuǎn)/分的轉(zhuǎn)速下甩膠10～60秒； (3)將薄膜用烘箱或者快速退火爐烘干； (4)將干燥后的薄膜放入快速退火爐中，在空氣中以50～90℃/分鐘的升溫 速率升溫至250℃～500℃熱解3～15分鐘； (5)重復步驟(2)～(4)以達到150nm～1μm的薄膜厚度； (6)將熱解后的薄膜放入快速退火爐中，在空氣中以50～90℃/分鐘的升溫 速率升溫至550℃～800℃退火3～20分鐘；隨爐冷至室溫后便獲得薄膜的組分為 (1-x)BiScO3-xPbTiO3，0.5≤x≤0.8，壓電薄膜。 【當前權(quán)利人】清華大學 【當前專利權(quán)人地址】北京市100084－82信箱 【專利權(quán)人類型】公立 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000400000624D 【引證次數(shù)】2.0 【自引次數(shù)】1.0 【他引次數(shù)】1.0 【家族引證次數(shù)】2.0 【家族被引證次數(shù)】11
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