【摘要】本實用新型公開了一種碳素陽極殘極噴丸室丸料、廢料初級分選機構(gòu)，其結(jié)構(gòu)為：在吸沙地板(3)上有格篩(2)，在格篩(2)的出料端有廢料收集裝置(4)，在格篩(2)的另一端通過振動裝置(1)與吸沙地板(3)連接。其中格篩(2)的安裝傾斜角
【摘要】 一種基于光子晶體的自準直光束的分束器，其特征在于，包括：一襯底；一介質(zhì)材料層，該介質(zhì)材料層制作在襯底上，該介質(zhì)材料層是二維周期性排列的介質(zhì)柱子陣列、或金屬柱子陣列構(gòu)成光子晶體；在柱子陣列構(gòu)成的光子晶體內(nèi)的一夾角方向 引入線缺陷。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學院半導體研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100083北京市海淀區(qū)清華東路甲35號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610073167.6 【申請日】2006-04-10 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101055397A 【公開公告日】2007-10-17 【公開公告年份】2007 【發(fā)明人】陳海波; 李兆峰; 陳建軍; 楊富華; 封松林; 鄭厚植 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種基于光子晶體的自準直光束的分束器，其特征在 于，包括： 一襯底； 一介質(zhì)材料層，該介質(zhì)材料層制作在襯底上，該介質(zhì)材料 層是二維周期性排列的介質(zhì)柱子陣列、或金屬柱子陣列構(gòu)成光 子晶體； 在柱子陣列構(gòu)成的光子晶體內(nèi)的一夾角方向引入線缺陷。 【當前權(quán)利人】中國科學院半導體研究所 【當前專利權(quán)人地址】北京市海淀區(qū)清華東路甲35號 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000400012385U 【被引證次數(shù)】12 【被他引次數(shù)】10.0 【家族被引證次數(shù)】12
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