【摘要】本發明公開一種基于內容的敏感網頁識別方法，包括步驟：在給定網頁的統一資源定位器的條件下，獲取該網頁的源碼，數據分流和預處理，獲取文本信息和有效圖像信息；利用連續敏感文本分類器對文本信息處理，如果分類器輸出結果為敏感，則處理完畢。否則
【摘要】 一種掩埋結構鋁銦鎵砷分布反饋激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：(1)在襯底上大面積制作吸收型增益耦合光柵；(2)利用等離子體化學氣相沉積技術，在外延片上生長介質膜，采用光刻腐蝕技術，制作介質掩模圖形；(3)利用窄條選擇外延生長技術，依次生長下限制層、有源區、上限制層和保護層，形成梯形的結構；(4)在外延片上接著生長接觸層；(5)在外延片上大面積生長一層絕緣層，并在梯形有源區的上方開出電極窗口；(6)在外延片上制作p面電極；(7)對外延片的襯底背面減薄，制作n面電極；(8)解理外延片制作管芯。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院半導體研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100083北京市海淀區清華東路甲35號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610078213.1 【申請日】2006-05-12 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101071935A 【公開公告日】2007-11-14 【公開公告年份】2007 【發明人】馮文; 潘教青; 周帆; 王寶軍; 趙玲娟; 朱洪亮; 王圩 【主權項內容】1.一種掩埋結構鋁銦鎵砷分布反饋激光器的制作方法， 其特征在于，包括如下步驟： (1)在襯底上大面積制作吸收型增益耦合光柵； (2)利用等離子體化學氣相沉積技術，在外延片上生長 介質膜，采用光刻腐蝕技術，制作介質掩模圖形； (3)利用窄條選擇外延生長技術，依次生長下限制層、 有源區、上限制層和保護層，形成梯形的結構； (4)在外延片上接著生長接觸層； (5)在外延片上大面積生長一層絕緣層，并在梯形有源 區的上方開出電極窗口； (6)在外延片上制作p面電極； (7)對外延片的襯底背面減薄，制作n面電極； (8)解理外延片制作管芯。 微信 【當前權利人】中國科學院半導體研究所 【當前專利權人地址】北京市海淀區清華東路甲35號 【統一社會信用代碼】12100000400012385U 【被引證次數】7 【被他引次數】7.0 【家族被引證次數】7
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