【摘要】本發明公開了一種在硅(111)襯底上制備高質量 氧化鋅單晶薄膜的方法，即分五步依次在超高真空環境下熱處 理硅襯底獲得清潔的Si(111)面：1.低溫沉積1～10nm厚的金屬 單晶薄膜如鎂、鈣、鍶、鎘等，2.低溫氧化金屬膜以獲得金屬
【摘要】 本實用新型涉及一種三電平大功率模塊，其主要包括水冷底板(1)、大功率開關器件(4)、連接銅排、緩沖電路板(12)、風冷散熱片(13)，特征是：所述的大功率開關器件(4)安裝在水冷底板(1)上，其與緩沖電路板(11)之間裝設有連接銅排，緩沖電路板(11)固定在風冷散熱片(12)上，針對不同的散熱器件采取不同的散熱方式，解決了大功率器件的散熱難題，采用分層設計，通過分步安裝和檢查測試，簡化了生產工藝，提高了功率模塊的可靠性。 【專利類型】實用新型 【申請人】北京四方清能電氣電子有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】100085北京市海淀區上地四街9號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200620118690.1 【申請日】2006-06-14 【申請年份】2006 【公開公告號】CN2912096Y 【公開公告日】2007-06-13 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN2912096Y 【授權公告日】2007-06-13 【授權公告年份】2007.0 【IPC分類號】H02M1/00; H05K7/00; H05K7/20; H01L23/473; H01L23/34 【發明人】劉博超; 姜科; 馬國良; 魏鵬環 【主權項內容】1.一種三電平大功率模塊，主要包括水冷底板(1)、大功率開關器件(4)、連接銅排、緩 沖電路板(11)、風冷散熱片(12)，其特征在于：所述的大功率開關器件(4)安裝在水冷底 板(1)上，其與緩沖電路板(11)之間裝設有連接銅排，緩沖電路板(11)固定在風冷散熱 片(12)上。 【當前權利人】思源清能電氣電子有限公司 【當前專利權人地址】上海市閔行區華寧路3399號 【被引證次數】5 【被他引次數】5.0 【家族被引證次數】5
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