【摘要】一種用生態混凝土構建的水下潛體，涉及岸邊防護和景觀水體建設。采用具有內部連通孔隙特征的生態混凝土塊體構筑水下潛體的排體，排體群縱向之間可緊挨或構成凹槽結構。由排體構成的潛體淹沒于水下，主軸向基本平行于岸邊而不與岸邊相連。在排體上方或
【摘要】 本發明屬于無線通信系統收發機芯片設計技術 領域，其特征在于：采用數字控制的新穎的互補型MOS變容 管對來構成數控LC振蕩器，從而減小振蕩器的相位噪聲和雜 散，同時提高振蕩器的調頻精度，相比于已有方法，本發明所 提出的方法能夠有效的提高片上CMOS振蕩器的性能并降低 振蕩器的功耗，同時有助于降低接收機的制造成本和功耗。 【專利類型】發明申請 【申請人】清華大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】100084北京市100084－82信箱 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610114086.6 【申請日】2006-10-27 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1960164A 【公開公告日】2007-05-09 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100471036C 【授權公告日】2009-03-18 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H03B5/12; H03L7/099; H03B5/08; H03L7/08 【發明人】王少華; 楊華中 【主權項內容】1.片上CMOS數控互補型低噪聲LC振蕩器，其特征在于，含有：第1耦合對管(PM1)和(PM2)，第2耦合對管(NM1)和(NM2)以及LC振蕩回路，其中： 所述第1耦合對管中，(PM1)管和(PM2)管的源極相連后經過一個電流偏置的電流源連接到電源電壓(VDD)； 所述第2耦合對管中，(NM1)管和(NM2)管的源極相連后接地； 在所述第1耦合對管和第2耦合對管之間，(PM1)管的漏極、(PM2)管的柵極、(NM1)管的漏極、(NM2)管的柵極彼此相連后，構成所述片上CMOS數控互補型低噪聲LC振蕩器的一個輸出端(outP)；(PM2)管的漏極、(PM1)管的柵極、(NM2)管的漏極、(NM1)管的柵極彼此相連后，構成所述LC振蕩器的另一個輸出端(outN)； 所述LC振蕩回路并聯于所述片上CMOS數控互補型低噪聲LC振蕩器的(outP)、(outN)兩個輸出端之間，由差分電感和變容控制電路并聯構成，其中： 所述的變容控制電路由相互之間都并聯于所述的(outP)、(outN)兩端且各自帶有接口電路的金屬-絕緣體-金屬開關電容陣列、捕捉模式MOS電容陣列、整數部分的鎖定模式MOS電容陣列以及分數部分的鎖定模式MOS電容陣列組成，所述各個組成部分在各自的數字信號控制下分別改變各自的電容值，從而改變接入LC振蕩回路的總電容值，并相應的改變輸出振蕩頻率，其中： 所述金屬-絕緣體-金屬開關電容陣列是一個在所述LC振蕩器啟動后首先要執行的工藝-電壓-溫度校準模式中所使用的電路結構，由接口電路和開關電容陣列構成；所述接口電路的輸入是一組二進制的工藝-電壓-溫度校準模式所使用的數字控制信號，用PVT[5 : 0]表示，由PVT0～PVT5共6個信號組成，該接口電路的輸出是一組開關控制信號，用P[5 : 0]表示，由P0～P5共6個信號組成；所述開關電容陣列是由6個開關電容對并聯而成的一組差分開關電容對，每一個開關電容對中的電容采用金屬-絕緣體-金屬電容，所述電容對的電容值根據所述開關控制信號P[5 : 0]中各開關控制信號的序號按照6位二進制數的順序依次排列，所述開關控制信號P[5 : 0]是通過在每一開關電容對中間串連著的一個MOS開關來對每一開關電容對進行開閉而實施控制的； 所述捕捉模式MOS電容陣列工作時振蕩器執行捕捉模式，使輸出振蕩頻率處于所要求的頻道上；在該捕捉模式以及后面的鎖定模式中，均采用了差分PMOS單元變容管對構成所述的捕捉模式MOS電容陣列以及鎖定模式MOS電容陣列中的變容管，所述差分PMOS單元變容管對，由兩個相同尺寸的PMOS管(M1)、(M2)組成，所述(M1)管、(M2)管 的襯底相連后接電源電壓(VDD)，(M1)管、(M2)管各自的源極和漏極相連后接數字變容控制信號，而(M1)管的柵極和(M2)管的柵極分別作為差分PMOS單元變容管對的輸出連接所述數控LC振蕩器的(outP)、(outN)端； 所述捕捉模式MOS電容陣列由一個行接口電路、一個列接口電路和一個16×16的MOS電容矩陣構成，該捕捉模式電容陣列有8位鎖定模式數字控制信號，用ACQ[7 : 0]表示，其中的高4位信號ACQ[7 : 4]通過所述列接口電路產生ACQ[7 : 4]所對應的溫度計碼，即列選信號C[15 : 0]和行選使能信號N[15 : 0]，而低4位信號ACQ[3 : 0]通過行接口電路產生ACQ[3 : 0]所對應的溫度計碼，即行選信號R[15 : 0]；所述列選信號C[15 : 0]、行選使能信號N[15 : 0]以及行選信號R[15 : 0]分別送往所述的16×16的MOS電容矩陣的列和行；所述16×16MOS電容矩陣中的MOS電容單元由1個并聯于所述(outP)、(outN)兩端的差分PMOS單元變容管對及其解碼電路組成，該解碼電路的邏輯表達式為 CtrlA＝C+(N*R)，??????(1) 其中CtrlA是數字變容控制信號，所述解碼電路的輸出端與所述1個差分PMOS單元變容管對中各PMOS管的源極、漏極相連，該各PMOS管的襯底接電源(VDD)，而柵極分別接(outP)、(outN)兩端； 所述整數部分的以及分數部分的鎖定模式MOS電容陣列均采用互補型MOS變容管對，所述互補型MOS變容管對由第一組差分PMOS變容管對和第二組差分PMOS變容管對組成，第一組PMOS變容管對的尺寸要大于第二組，該互補型MOS變容管對中所有MOS管的襯底相連后接電源電壓(VDD)，而在兩組中各差分PMOS變容管對兩端的柵極分別作為該互補型MOS變容管對的輸出連接到所述數控LC振蕩器的(outP)、(outN)端，第一組差分PMOS變容管對中MOS管的源極和漏極相連后接數字變容控制信號，第二組差分PMOS變容管對中MOS管的源極和漏極相連后接數字變容控制信號的反相互補信號； 所述整數部分的鎖定模式MOS電容陣列由一個接口電路和一個互補型MOS變容管對陣列構成，該接口電路的輸入為6位鎖定模式數字控制信號的整數部分，用Lock_I[5 : 0]表示，接口電路的輸出是各為32位的鎖定模式整數部分變容控制信號I[31 : 0]以及其反相互補信號I_N[31 : 0]；所述I[31 : 0]是Lock_I[5 : 0]的溫度計碼表示形式，I_N[31 : 0]是I[31 : 0]的反相互補信號，兩者之間的關系為 I_N[31 : 0]＝I[31 : 0]，??????(2) 所述I[31 : 0]用于控制第一組差分PMOS變容管對陣列中的各相互并聯的PMOS差分變容管對，I_N[31 : 0]用于控制第二組差分PMOS變容管對陣列中的各相互并聯的差分PMOS變容 管對； 所述分數部分的鎖定模式MOS電容陣列由一個數字∑Δ調制器和另一個互補型MOS變容管對陣列構成；所述數字∑Δ調制器的輸入是一組8位的鎖定模式數字控制信號的分數部分，用Lock_F[7 : 0]表示，該數字∑Δ調制器的輸出是一串3位的高速率的整數∑Δ調制信號F[2 : 0]及其反相互補信號F_N[2 : 0]，兩者之間的關系為 F_N[2 : 0]＝F[2 : 0]，??????????(3) 所述F[2 : 0]以及F_N[2 : 0]信號分別控制所述的分數部分互補型MOS變容管對陣列中的第一組差分PMOS變容管對陣列(A)和第二組差分PMOS變容管對陣列(B)，使得所述陣列(A)、(B)中各個相互并聯的PMOS單元變容管對各自分別在高、低兩個電容狀態之間高速翻轉，從而使所述LC振蕩回路輸出信號的頻率也隨之高速地在幾個頻率之間跳轉，這樣產生的振蕩信號在所設定的時間段內的平均周期就等于鎖定模式數字控制信號的分數部分所指定的輸出振蕩周期，分數部分所對應的輸出振蕩頻率也由此確定；所述F[2 : 0]與Lock_F[7 : 0]之間的關系由下述Z域傳輸函數確定： 其中Lock_F(z)為輸入鎖定模式數字控制信號的分數部分的z域表示，F(z)為∑Δ調制器輸出控制信號的z域表示，Q(z)為量化器產生的量化噪聲的z域表示。 【當前權利人】清華大學 【當前專利權人地址】北京市100084-82信箱 【專利權人類型】公立 【統一社會信用代碼】12100000400000624D 【被引證次數】13 【被他引次數】13.0 【家族引證次數】5.0 【家族被引證次數】13
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