【摘要】一種隆起印刷方法，首先將蘸膠工具的下部浸入膠池中，蘸起膠池中的膠水，將帶有膠水的蘸膠工具與承印材料接觸，然后抬起蘸膠工具。留在承印材料上的膠水依靠自身的表面張力和重力，在承印材料表面形成需要的隆起形狀，經(jīng)固化，將膠水形成的隆起固化在
【摘要】 一種波長為852nm的分布反饋激光器的結(jié)構，包括：在N型GaAs襯底上依次制作的N型GaAs緩沖層、N型AlGaAs下蓋層、N型GaAs緩沖層、非摻AlGaAs下波導層、N型AlGaAs下蓋層、非摻AlGaAs下壘層、非摻AlGaAs下波導層、非摻AlGaInAs有源層、非摻AlGaAs下壘層、非摻AlGaAs上壘層、非摻AlGaInAs有源層、非摻AlGaAs上波導層、非摻AlGaAs上壘層、非摻GaInP光柵層、非摻AlGaAs上波導層、非摻AlGaAs上蓋層、非摻GaInP光柵層、P型AlGaAs上蓋層、非摻AlGaAs上蓋層、P型GaAs帽層、P型AlGaAs上蓋層、SiO2層、P型GaAs帽層、P型電極以及N型電極。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學院半導體研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100083北京市海淀區(qū)清華東路甲35號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610011982.X 【申請日】2006-05-25 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101079532A 【公開公告日】2007-11-28 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01S5/00; H01S5/12; H01S5/20; H01S5/30; H01S5/323; H01S5/343 【發(fā)明人】付生輝; 鐘源; 陳良惠 【主權項內(nèi)容】1.一種波長為852nm的分布反饋激光器的結(jié)構，其 特征在于，該結(jié)構包括： 一N型GaAs襯底； 一N型GaAs緩沖層，該N型GaAs緩沖層制作在N型GaAs 襯底上； 一N型AlGaAs下蓋層，該N型AlGaAs下蓋層制作在N 型GaAs緩沖層上； 一非摻AlGaAs下波導層，該非摻AlGaAs下波導層制作在 N型AlGaAs下蓋層上； 一非摻AlGaAs下壘層，該非摻AlGaAs下壘層制作在非摻 AlGaAs下波導層上； 一非摻AlGaInAs有源層，該非摻AlGaInAs有源層制作在 非摻AlGaAs下壘層上； 一非摻AlGaAs上壘層，該非摻AlGaAs上壘層制作在非摻 AlGaInAs有源層上； 一非摻AlGaAs上波導層，該非摻AlGaAs上波導層制作在 非摻AlGaAs上壘層上； 一非摻GaInP光柵層，該非摻GaInP光柵層制作在非摻 AlGaAs上波導層上； 一非摻AlGaAs上蓋層，該非摻AlGaAs上蓋層制作在非摻 GaInP光柵層上； 一P型AlGaAs上蓋層，該P型AlGaAs上蓋層制作在非摻 AlGaAs上蓋層上； 一P型GaAs帽層，該P型GaAs帽層制作在P型AlGaAs 上蓋層上； 一SiO2層，該SiO2層制作在P型GaAs帽層兩側(cè)的上面； 一P型電極，該P型電極制作在SiO2層和P型GaAs帽層 上；以及 一N型電極，該N型電極制作在N型GaAs襯底的下面。。 【當前權利人】中國科學院半導體研究所 【當前專利權人地址】北京市海淀區(qū)清華東路甲35號 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000400012385U 【被引證次數(shù)】6 【被他引次數(shù)】6.0 【家族被引證次數(shù)】6
未經(jīng)允許不得轉(zhuǎn)載：http://m.mhvdw.cn/1776132470.html
喜歡就贊一下
