【摘要】本發明涉及半導體材料加工技術領域，特別是一種在InP基片中濕法刻蝕孔或通孔的方法。方法包括利用電化學腐蝕的方法先在通孔位置電化學腐蝕出穿透InP基片電流微孔，微孔腔與InP基片表面垂直，再采用常規化學腐蝕液進行通孔刻蝕；電化學腐蝕形
【摘要】 后視圖無圖案，故省略后視圖。 【專利類型】外觀設計 【申請人】張占杰 【申請人類型】個人 【申請人地址】100071北京市西三環南路57號麗澤橋美克大廈602北京科斯黛爾家居用品有限公司 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】豐臺區 【申請號】CN200630125019.5 【申請日】2006-12-05 【申請年份】2006 【公開公告號】CN300694470D 【公開公告日】2007-09-26 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN300694470D 【授權公告日】2007-09-26 【授權公告年份】2007.0 【發明人】張占杰 【主權項內容】無 【當前權利人】張占杰 【當前專利權人地址】北京市西三環南路57號麗澤橋美克大廈602北京科斯黛爾家居用品有限公司
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