【摘要】本實(shí)用新型為一種鉆孔樁鋼護(hù)筒，該鉆孔樁鋼護(hù)筒的上部有一旋壓封頭，該旋壓封頭與鋼護(hù)筒焊接為一體，鋼護(hù)筒與旋壓封頭為一密閉的高壓容器；該旋壓封頭的上部分別設(shè)有低壓水入口管和高壓水入口管，高壓進(jìn)水管與高壓水泵連接。高壓水泵將高壓水注入容器
【摘要】 本發(fā)明屬于微電子學(xué)與分子電子學(xué)中的微細(xì)加工領(lǐng)域，特別是一種納米級交叉線陣列結(jié)構(gòu)有機(jī)分子器件的制備方法。其步驟如下：1.在基片表面上淀積絕緣層薄膜；2.在絕緣層薄膜表面上旋涂電子束抗蝕劑，電子束曝光、顯影得到下電極圖形；3.蒸發(fā)制備下電極金屬；4.金屬剝離得到交叉線下電極；5.在下電極上覆蓋生長有機(jī)分子薄膜；6.在有機(jī)分子薄膜上蒸發(fā)制備金屬保護(hù)層；7.在保護(hù)層上面旋涂雙層光刻膠，電子束曝光、顯影得到上電極圖形；8.斜向蒸發(fā)制備上電極金屬薄膜；9.金屬剝離得到交叉線上電極；10.干法刻蝕保護(hù)層，完成交叉線有機(jī)分子器件的制備。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學(xué)院微電子研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100029北京市朝陽區(qū)北土城西路3號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】朝陽區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610012051.1 【申請日】2006-05-31 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101083301A 【公開公告日】2007-12-05 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100470872C 【授權(quán)公告日】2009-03-18 【授權(quán)公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L51/40 【發(fā)明人】商立偉; 涂德鈺; 王叢舜; 劉明 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種納米級交叉線陣列結(jié)構(gòu)有機(jī)分子器件的制備方法，是由兩次 電子束光刻、三次金屬蒸發(fā)、一次有機(jī)薄膜沉積生長，兩次干法刻蝕， 獲得交叉線有機(jī)分子器件的；其特征在于，其步驟如下： 步驟1、在基片表面上淀積絕緣層薄膜； 步驟2、在絕緣層薄膜表面上旋涂電子束抗蝕劑，電子束曝光、顯影 得到下電極圖形； 步驟3、蒸發(fā)制備下電極金屬薄膜； 步驟4、金屬剝離得到交叉線下電極； 步驟5、在下電極上覆蓋生長有機(jī)分子薄膜； 步驟6、在有機(jī)分子薄膜上蒸發(fā)制備金屬保護(hù)層； 步驟7、在保護(hù)層上面旋涂雙層電子束抗蝕劑，電子束曝光、顯影得 到上電極圖形； 步驟8、斜向蒸發(fā)制備上電極金屬薄膜； 步驟9、金屬剝離得到交叉線上電極； 步驟10、干法刻蝕保護(hù)層和有機(jī)薄膜層，完成交叉線有機(jī)分子器件 的制備。 【當(dāng)前權(quán)利人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司; 中國科學(xué)院微電子研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市浦東新區(qū)張江路18號; 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號中國科學(xué)院微電子研究所 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000400834434U 【被引證次數(shù)】9 【被自引次數(shù)】3.0 【被他引次數(shù)】6.0 【家族引證次數(shù)】5.0 【家族被引證次數(shù)】9
未經(jīng)允許不得轉(zhuǎn)載：http://m.mhvdw.cn/1776057469.html
喜歡就贊一下
