【摘要】本發(fā)明公開一種移動通信終端之間通過移動應(yīng) 用程序傳輸數(shù)據(jù)的方法，包括：步驟1，在一個移動通信終端 中選擇需要向另一個移動通信終端傳輸?shù)臄?shù)據(jù)；步驟2，在發(fā) 信的移動通信終端上發(fā)送在上述選擇的數(shù)據(jù)；步驟3，上述接 收方的移動通信終端接收
【摘要】 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料加工技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種在InP基片中濕法刻蝕孔或通孔的方法。方法包括利用電化學(xué)腐蝕的方法先在通孔位置電化學(xué)腐蝕出穿透InP基片電流微孔，微孔腔與InP基片表面垂直，再采用常規(guī)化學(xué)腐蝕液進行通孔刻蝕；電化學(xué)腐蝕形成的與通孔方向一致多孔的InP。另外，提供了這種通孔的金屬化填充方法。半導(dǎo)體光電器件，包括：基片、光電器件有源區(qū)外延層、金屬化填充的導(dǎo)電通孔、背電極金屬層、正電極、焊接凸點、以及器件鈍化保護層，在掩膜層上采用常規(guī)光刻工藝光刻出通孔開口圖形，通孔形成在磷化銦InP襯底上，該半導(dǎo)體光電器件結(jié)構(gòu)具有一正表面和一基本與其相對的背表面，光電器件采用倒扣封裝模式。 ： 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學(xué)院微電子研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100029北京市朝陽區(qū)北土城西路3號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】朝陽區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610003070.8 【申請日】2006-02-08 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101017779A 【公開公告日】2007-08-15 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L21/306; H01L33/00; H01L31/00; H01L33/38 【發(fā)明人】李寶霞; 吳德馨; 楊成樾 【主權(quán)項內(nèi)容】1.一種在磷化銦InP基片上形成孔或通孔的方法，包括利用電化學(xué) 腐蝕的方法先在通孔位置電化學(xué)腐蝕出穿透InP基片電流微孔，微孔腔 與InP基片表面垂直，再采用常規(guī)化學(xué)腐蝕液進行通孔刻蝕；其特征在 于，電化學(xué)腐蝕形成的與通孔方向一致的多孔InP。 【當前權(quán)利人】中國科學(xué)院微電子研究所 【當前專利權(quán)人地址】北京市朝陽區(qū)北土城西路3號 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000400834434U 【被引證次數(shù)】14 【被自引次數(shù)】4.0 【被他引次數(shù)】10.0 【家族被引證次數(shù)】14
未經(jīng)允許不得轉(zhuǎn)載：http://m.mhvdw.cn/1776056600.html
喜歡就贊一下
