【摘要】一種具擴大受熱區段結構的熱管及散熱模塊，系在一熱管受熱段具備有一受熱擴大區段，該受熱擴大區段接觸于一散熱模塊的導熱匣。該散熱模塊的導熱匣與散熱鰭片模塊之間嵌設有一風扇。該導熱匣與該散熱鰭片模塊的表面在對應于該熱管的受熱段與散熱段的位
【摘要】 本發明為一種功率芯片的封裝制程，主要系以金屬片成型為呈凹杯狀的凹槽，并于其上設有一個或一個以上的開孔，而電路板表面則開設有與凹槽對應的對應孔，并于電路板上設有多個接點，再以金屬呈凹杯狀的凹槽嵌入并結合于電路板的對應孔內，并使電路板上的接點定位于金屬片的開孔內，且金屬片的凹槽底部凸出電路板背面，然后將芯片置放于金屬呈凹杯狀的凹槽內，再以打線作業將導線由芯片拉至開孔處的電路板接點上形成電性導通，而后封膠于芯片上，再將打線封膠完成的封裝組件與另設的散熱金屬基板結合，完成此一導熱良好、快速散熱、電熱分離、結構簡單穩固的功率芯片封裝，若為發光功率芯片，更可獲得金屬凹杯的光源反射增益效果。。 【專利類型】發明申請 【申請人】碁成科技股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】臺灣省桃園縣龍潭鄉渴望路185號3樓之2 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610075979.4 【申請日】2006-04-26 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101064260A 【公開公告日】2007-10-31 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L21/50; H01L33/00; H01L33/48; H01L33/60; H01L33/64 【發明人】于浩然; 張仲琦; 劉尚緯 【主權項內容】1、一種功率芯片的封裝制程，其特征在于，其封裝步驟流程如下： (A)制作金屬凹槽，先將金屬材質所制成的片材進行加下，成型為呈凹 杯狀的凹槽，另于金屬凹槽表面設置一個或一個以上開孔； (B)制作電路板，電路板表面對應于金屬凹槽處開設對應孔，并于電路 板上設置多個接點； (C)結合金屬凹槽與電路板，將呈凹杯狀的金屬凹槽嵌入結合于電路板 表面所開設的對應孔內，且金屬片的凹槽底部凸出電路板背面，而電路板上的 接點則位于金屬凹槽所設的開孔內； (D)封裝功率芯片，將芯片置放于金屬凹槽內，并利用打線作業將導線 由芯片拉至開孔處的接點上形成電性導通，而后封膠于芯片上，即完成封裝制 程。 【當前權利人】碁成科技股份有限公司 【當前專利權人地址】臺灣省桃園縣龍潭鄉渴望路185號3樓之2 【被引證次數】12 【被他引次數】12.0 【家族被引證次數】12
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