【摘要】本實用新型的代步裝置至少設有一主架體；其中，該主架體上設有架框，其架框至少形成有定位缺口以供容置太陽光電模塊，使其定位于代步裝置中，藉由該太陽光電模塊可吸收太陽能并轉(zhuǎn)換成電能，以供代步裝置使用。【專利類型】實用新型【申請人】奈米龍科
【摘要】 一種包括離子摻雜接面的高壓側(cè)驅(qū)動器的半導 體結(jié)構(gòu)。離子摻雜接面包括一基板、一第一深阱、一第二深阱、 一第一重離子摻雜區(qū)域及一第二重離子摻雜區(qū)域。第一深阱及 第二深阱彼此部分連接形成于基板內(nèi)，且第一深阱及第二深阱 具有相同離子摻雜型態(tài)。于第一深阱內(nèi)形成用以連接第一高電 壓的第一重離子摻雜區(qū)域，且第一重離子摻雜區(qū)域具有與第一 深阱相同的離子摻雜型態(tài)。于第二深阱內(nèi)形成用以連接第二高 電壓的第二重離子摻雜區(qū)域，且第二重離子摻雜區(qū)域具有與第 一深阱相同的離子摻雜型態(tài)。。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】崇貿(mào)科技股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】臺灣省231臺北縣新店市寶興路45巷8弄1號3樓 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610143387.1 【申請日】2006-11-02 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1967844A 【公開公告日】2007-05-23 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100428473C 【授權(quán)公告日】2008-10-22 【授權(quán)公告年份】2008.0 【IPC分類號】H01L27/04; H01L21/822; H01L21/70 【發(fā)明人】蔣秋志; 黃志豐 【主權(quán)項內(nèi)容】1.一種高壓側(cè)驅(qū)動器的半導體結(jié)構(gòu)，包括： 一離子摻雜接面，包括： 一基板； 一第一深阱及一第二深阱，形成于該基板內(nèi)，其中該第一深阱 及該第二深阱是分開但彼此部分連接且具有相同的離子摻雜型態(tài)； 一第一重離子摻雜區(qū)域，形成于該第一深阱內(nèi)以連接至一第一 高電壓，其中該第一重離子摻雜區(qū)域具有與該第一深阱相同的離子摻雜型態(tài)； 以及 一第二重離子摻雜區(qū)域，形成于該第二深阱內(nèi)以連接至一第二 高電壓，其中該第二重離子摻雜區(qū)域具有與該第一深阱相同的離子摻雜型態(tài)。 ： 【當前權(quán)利人】崇貿(mào)科技股份有限公司 【當前專利權(quán)人地址】臺灣省臺北縣新店市寶興路45巷8弄1號3樓 【家族引證次數(shù)】4.0
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