【摘要】一種使用純H2O 等離子體的原位實(shí)施方法，用來(lái)從基材或晶圓移除光阻層，而 不會(huì)在基材或晶圓上累積電荷。以及，一種使用純 H2O等離子體或純 H2O蒸氣的原位實(shí)施方法，用來(lái) 從此基材或晶圓表面移除或釋放經(jīng)由一個(gè)或多個(gè)集成電路建 構(gòu)制程
【專利類型】外觀設(shè)計(jì) 【申請(qǐng)人】佰賢有限公司 【申請(qǐng)人類型】企業(yè) 【申請(qǐng)人地址】中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)北縣中和市橋和路87號(hào)5樓 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】臺(tái)灣省 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200630151668.2 【申請(qǐng)日】2006-05-24 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN3668841D 【公開公告日】2007-07-11 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN3668841D 【授權(quán)公告日】2007-07-11 【授權(quán)公告年份】2007.0 【發(fā)明人】巫映璇 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】無(wú) 【當(dāng)前權(quán)利人】佰賢有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)北縣中和市橋和路87號(hào)5樓
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