【摘要】本實用新型公開了一種薄膜按鍵及其彈性導電片結構。包括：一電路基板，端面設有至少一電氣接點；至少一彈性導電片，對應該電氣接點配置，在面向該電氣接點的中央部位一端面上設有一觸發部，該觸發部具有五電氣接觸突點。上述彈性導電片對應該電氣接點
【摘要】 本發明提供一種半導體結構的形成方法及半導體結構，包括：提供一半導體基底；形成一介電層于該半導體基底上；通過化學氣相沉積法形成一附著層于該介電層上，其中該附著層包括一過渡層形成在該介電層上，且該過渡層至少具有一自該過渡層的底部至頂部逐漸改變的特性；形成一低介電常數介電層于該附著層上，且該低介電常數介電層與該附著層在相同腔室中形成；以及形成一鑲嵌開口在該低介電常數介電層中。本發明所述的半導體結構的形成方法及半導體結構，可使低介電常數介電層及其下層之間的附著力獲得改善，并因此減少破裂及/或剝離的問題發生。 【專利類型】發明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行六路八號 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610150312.6 【申請日】2006-10-26 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101064251A 【公開公告日】2007-10-31 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100550316C 【授權公告日】2009-10-14 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L21/31; H01L21/768; H01L21/02; H01L21/70 【發明人】蔡方文; 陳奕伊; 吳振誠; 林志隆; 包天一; 鄭雙銘; 余振華 【主權項內容】 1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，該半導體結構 的形成方法包括： 提供一半導體基底； 形成一介電層于該半導體基底上； 通過化學氣相沉積法形成一附著層于該介電層上，其中該附 著層包括一過渡層形成在該介電層上，且該過渡層至少具有一自 該過渡層的底部至頂部逐漸改變的特性； 形成一低介電常數介電層于該附著層上，且該低介電常數介 電層與該附著層在相同腔室中形成；以及 形成一鑲嵌開口在該低介電常數介電層中。 【當前權利人】先進制造創新公司 【被引證次數】10 【被自引次數】2.0 【被他引次數】8.0 【家族引證次數】11.0 【家族被引證次數】27
未經允許不得轉載：http://m.mhvdw.cn/1776626015.html
喜歡就贊一下
