【摘要】本發明提供一種半導體元件及其形成方法，具體 涉及用來預防尖端引發電容漏電流的元件及其形成方法。是以 較厚的底部電極填滿導致尖端形成的微溝槽。另一方式則是， 將接觸插塞形成凹陷以降低微溝槽的形成。本發明所述半導體 元件及其形成方法，可
【摘要】 本發明公開一種轉軸結構及組裝方法，包括一容置槽設于基座，兩端面各設一凹槽，一支撐部設于旋轉體，容納于容置槽中，相對凹槽的側面穿設通孔，上方挖設通槽，與通孔相通，以及兩圓棒狀支軸分別可移動的穿置于通槽兩側的通孔中，利用一填充物塞入通槽，表面與支撐部齊平，固定住支軸的后端，使頭端突出通孔且嵌入圓形孔槽的凹槽，讓支軸于凹槽內順暢的轉動。 【專利類型】發明申請 【申請人】廣明光電股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣桃園縣 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610071822.4 【申請日】2006-03-16 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101038008A 【公開公告日】2007-09-19 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100453832C 【授權公告日】2009-01-21 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】F16C11/04 【發明人】張敬宏; 彭文寬 【主權項內容】1.一種轉軸結構，用以連接旋轉體與基座，包括： 一容置槽，設于基座，兩端面各設一凹槽； 一支撐部，設于旋轉體，容納于容置槽中，相對凹槽的側面穿設通孔， 上方挖設通槽，與通孔相通；以及 兩支軸，分別可移動的穿置于通槽兩側的通孔中，一端突出通孔，且嵌 入凹槽。 【當前權利人】廣明光電股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣桃園縣 【家族引證次數】3.0
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