【摘要】本發(fā)明一種控制應用程序的方法，此控制應用程序的方法包括下列步驟。首先，接收一觸控板的一輸入信號。接著，根據(jù)輸入信號，判斷是否為一特定事件。之后，根據(jù)特定事件，輸出一對應特定指令。然后，轉換對應特定指令為一操作系統(tǒng)指令，以控制應用程序
【摘要】 本實用新型提供一種電壓控制的半導體結構、電壓控制的電阻器。該半導體結構包含一基板、一第一摻雜阱及一第二摻雜阱。該基板摻雜一第一型離子。該第一摻雜阱具有一第二型離子，且形成于該基板中。該第二摻雜阱具有一第二型離子，且形成于該基板中。該第一型離子與該第二型離子是互補的。在該第一摻雜阱與該第二摻雜阱之間形成一電阻器。該電阻器的電阻率由一差動電壓所控制。該電阻器的電阻率與該第一摻雜阱的一第一深度、該第二摻雜阱的一第二深度和及該第一摻雜阱與該第二摻雜阱之間的一距離相關。該電阻器的電阻率高于在具有該第二型離子的單一個摻雜阱中所形成的阱式電阻器的電阻率。 【專利類型】實用新型 【申請人】崇貿科技股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】臺灣省231臺北縣新店市寶興路45巷8弄1號3樓 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200620135593.3 【申請日】2006-10-16 【申請年份】2006 【公開公告號】CN200983367Y 【公開公告日】2007-11-28 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN200983367Y 【授權公告日】2007-11-28 【授權公告年份】2007.0 【IPC分類號】H01L29/00; H01L29/8605 【發(fā)明人】蔣秋志; 黃志豐 【主權項內容】 權利要求書 1.一種半導體結構，其特征在于包含： 一基板，摻雜一第一型離子； 一第一摻雜阱區(qū)，具有一第二型離子，且形成于該基板中；以及 一第二摻雜阱區(qū)，具有一第二型離子，該第一型離子與該第二型離子互補，且第二摻雜阱區(qū)形成于該基板中； 其中，該第一摻雜阱區(qū)與該第二摻雜阱區(qū)之間形成一電阻器，該電阻器的電阻率與該第一摻雜阱區(qū)的一第一深度、該第二摻雜阱區(qū)的一第二深度及該第一摻雜阱區(qū)與該第二摻雜阱區(qū)之間的一距離相關；以及該電阻器的電阻率高于在具有該第二型離子的單一個摻雜阱區(qū)中所形成的阱區(qū)式電阻器的電阻率。 【當前權利人】崇貿科技股份有限公司 【當前專利權人地址】臺灣省231臺北縣新店市寶興路45巷8弄1號3樓 【被引證次數(shù)】1 【被自引次數(shù)】1.0 【家族引證次數(shù)】6.0 【家族被引證次數(shù)】20
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