【摘要】本發(fā)明提出一種半導(dǎo)體元件的制造方法，該半導(dǎo) 體元件具有淺型以及高摻雜濃度的源極漏極區(qū)域。其制造方法 包括：在基板上制造柵極電極；借由注入離子將該基板的源極 漏極區(qū)域轉(zhuǎn)換為非晶狀態(tài)；在上述源極漏極區(qū)域注入離子， 以執(zhí)行同步注入工藝；注
【專利類型】外觀設(shè)計(jì) 【申請(qǐng)人】林炳麟 【申請(qǐng)人類型】個(gè)人 【申請(qǐng)人地址】臺(tái)灣省臺(tái)北縣 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】臺(tái)灣省 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200630074274.1 【申請(qǐng)日】2006-09-26 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN300689353D 【公開公告日】2007-09-12 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN300689353D 【授權(quán)公告日】2007-09-12 【授權(quán)公告年份】2007.0 【發(fā)明人】林炳麟 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】無(wú) 【當(dāng)前權(quán)利人】林炳麟 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】臺(tái)灣省臺(tái)北縣
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