【摘要】右視圖與左視圖對稱，省略右視圖。【專利類型】外觀設計【申請人】昆盈企業股份有限公司【申請人類型】企業【申請人地址】中國臺灣【申請人地區】中國【申請人城市】臺灣省【申請號】CN200630139088.1【申請日】2006-10-08
【摘要】 一種多位存儲器單元包含一襯底；一多位電荷捕捉層于此襯底之上，此多位電荷捕捉層具有一第一側邊及一第二側邊；一源極區域于此襯底中，一部分此源極區域在此多位電荷捕捉層的此第一側邊之下；一漏極區域于此襯底中，一部分此漏極區域在此多位電荷捕捉層的此第二側邊之下；以及一溝道區域于此襯底中的此源極區域及此漏極區域之間。溝道區域具有一p型摻雜及一n型摻雜之一，且此摻雜配置為提供一最高摻雜濃度于接近此溝道區域的一中心部分。 【專利類型】發明申請 【申請人】旺宏電子股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610095921.6 【申請日】2006-06-23 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101043056A 【公開公告日】2007-09-26 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100573918C 【授權公告日】2009-12-23 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L29/792; H01L29/36; H01L27/115; H01L21/336; H01L21/8247; H01L29/66; H01L21/02; H01L21/70; H01L29/02 【發明人】古紹泓; 陳映仁; 呂文彬; 汪大暉 【主權項內容】1、一種多位存儲器單元，包含： 一襯底； 一隧道層，位于該襯底之上； 一電荷捕捉層，位于該隧道層之上； 一絕緣層，位于該電荷捕捉層之上； 一柵極，位于該絕緣層之上，且具有一第一側邊及一第二側邊； 一源極區域，位于該襯底中，一部分該源極區域在該柵極的該第 一側邊之下； 一漏極區域，在該襯底中，一部分該漏極區域在該柵極的該第二 側邊之下；以及 一溝道區域，位于該襯底中的該源極區域及該漏極區域之間，該 溝道區域具有一p型摻雜及一n型摻雜之一，且該摻雜配置為提供一 最高摻雜濃度于接近該溝道區域的一中心部分。 【當前權利人】旺宏電子股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【被引證次數】1 【被他引次數】1.0 【家族引證次數】21.0 【家族被引證次數】8
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