【摘要】一種含硅薄膜的形成方法,此方法是將襯底置于反應室,然后于反應室中導入一含硅氣體,以進行化學氣相沉積工藝,而于襯底上形成含硅薄膜,其中,至少控制反應室上內壁的溫度低于50℃。【專利類型】發明申請【申請人】聯華電子股份有限公司【申請人類
【專利類型】外觀設計 【申請人】蘇巖 【申請人類型】個人 【申請人地址】102300北京市門頭溝區月季園小區30樓2單元503號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】門頭溝區 【申請號】CN200630098825.8 【申請日】2006-11-09 【申請年份】2006 【公開公告號】CN300696486D 【公開公告日】2007-10-03 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN300696486D 【授權公告日】2007-10-03 【授權公告年份】2007.0 【發明人】蘇巖 【主權項內容】無 【當前權利人】蘇巖 【當前專利權人地址】北京市門頭溝區月季園小區30樓2單元503號
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