【摘要】本發明涉及一種沖床的偏心傳動裝置，其包含一曲軸；一連桿，其在曲軸帶動下產生簡諧運動；一滑塊，滑設于沖床上，在連桿帶動下進行往復式沖壓加工運作，并在其底部裝設一模具的上模；一傳動軸，設于曲軸一側的偏心位置，且傳動軸一端在馬達動力傳動下
【摘要】 一種含硅薄膜的形成方法，此方法是將襯底置于反應室，然后于反應室中導入一含硅氣體，以進行化學氣相沉積工藝，而于襯底上形成含硅薄膜，其中，至少控制反應室上內壁的溫度低于50℃。 【專利類型】發明申請 【申請人】聯華電子股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610058935.0 【申請日】2006-03-08 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101033541A 【公開公告日】2007-09-12 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100567565C 【授權公告日】2009-12-09 【授權公告年份】2009.0 【發明人】劉哲宏; 鄭博倫; 莊慧伶; 林俊安 【主權項內容】1.一種含硅薄膜的形成方法，該方法包括： 將一襯底置于一反應室中；以及 于該反應室中導入一含硅氣體，以進行一化學氣相沉積工藝，于該襯 底上形成該含硅薄膜，其中，至少控制該反應室上內壁的溫度低于50℃。 【當前權利人】聯華電子股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【被引證次數】TRUE 【家族被引證次數】TRUE
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