【摘要】本實用新型公開了一種溫室防滴露結構，屬于設施農業工程領域。所采取的技術方案包括覆蓋材料，用于支撐覆蓋材料的拱和檁，拱和檁的橫截面為“幾”字型。本結構最大的特點是當滴露水滴落時，被“幾”字型拱和檁的兩個外翻邊導流槽接住，并匯集后統一排
【摘要】 一種具有金屬鉿薄中間層的SOI型復合可協變層襯底，其特征在于，包括如下幾部分：一常規SOI可協變襯底，包括起支撐作用的底部Si(100)襯底、中間起解偶合作用的氧化硅絕緣層，頂部起失配應變協調作用的超薄Si單晶可協變層；一具有六方結構的金屬鉿薄中間層，制備在常規SOI可協變襯底的頂部超薄Si單晶可協變層上，并與之一起構成復合可協變層，共同協調失配應變，從而得到SOI型復合可協變層襯底；一大失配外延層，與Si(100)襯底有較大晶格失配，制備在六方金屬鉿薄中間層上，并與前兩部分一起構成大失配異質結構材料。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院半導體研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100083北京市海淀區清華東路甲35號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610003529.4 【申請日】2006-02-09 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101017830A 【公開公告日】2007-08-15 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L27/12 【發明人】楊少延; 陳涌海; 李成明; 范海波; 王占國 【主權項內容】1.一種具有金屬鉿薄中間層的SOI型復合可協變層襯 底，其特征在于，包括如下幾部分： 一常規SOI可協變襯底，包括起支撐作用的底部Si(1 00)襯底、中間起解偶合作用的氧化硅絕緣層，頂部起失配 應變協調作用的超薄Si單晶可協變層； 一具有六方結構的金屬鉿薄中間層，制備在常規SOI可協 變襯底的頂部超薄Si單晶可協變層上，并與之一起構成復合 可協變層，共同協調失配應變，從而得到SOI型復合可協變層 襯底； 一大失配外延層，與Si(100)襯底有較大晶格失配， 制備在六方金屬鉿薄中間層上，并與前兩部分一起構成大失配 異質結構材料。 【當前權利人】中國科學院半導體研究所 【當前專利權人地址】北京市海淀區清華東路甲35號 【統一社會信用代碼】12100000400012385U 【被引證次數】7 【被自引次數】1.0 【被他引次數】6.0 【家族被引證次數】7
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