【摘要】本發明涉及一種場發射陰極裝置的制造方法。該場發射陰極裝置的制造方法包括以下步驟：提供一個襯底；在襯底上依次形成一層柵極絕緣介質層，一層柵極金屬層和一層光刻膠層；微影光刻膠層形成一預定之圖案；分別蝕刻柵極金屬層和柵極絕緣介質層以形成柵
【摘要】 一種二硼化鎂超導材料及其制備方法，其特征在于：二硼化鎂超導材料中摻雜有選自脂肪酸、脂肪酸衍生物及其脂肪酸鹽中的一種或者多種化合物X，其中Mg和B組分的摩爾比Mg∶B＝1∶y，其中y的數值介于1到2.5之間，Mg和B組分質量之和與摻雜物質X的質量之比為：MgBy∶X＝1∶(0.01－1)。制備該材料的方法是將Mg粉、X和B粉按成份比例混合均勻，在常壓氬氣氣氛或真空中進行燒結。本發明的二硼化鎂超導材料在4.2K以上的溫度，具有優異的超導特性：高的臨界電流特性、高的上臨界場和不可逆場，使得二硼化鎂超導體的實用化成為可能。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院電工研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100080北京市海淀區中關村北二條6號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610169890.4 【申請日】2006-12-30 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1988058A 【公開公告日】2007-06-27 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN1988058B 【授權公告日】2010-04-14 【授權公告年份】2010.0 【IPC分類號】H01B12/00; H01L39/12; H01B13/00; H01L39/24; C01B35/04; C01F5/00 【發明人】高召順; 馬衍偉; 張現平; 王棟梁 【主權項內容】1、一種二硼化鎂超導材料，其特征在于：二硼化鎂超導材料中摻雜有選自脂肪酸、脂 肪酸衍生物及其脂肪酸鹽中的一種或者多種化合物X，其中Mg和B組分的摩爾比Mg∶B＝1∶ y，其中y的數值介于1到2.5之間，Mg和B組分質量之和與摻雜物質X的質量之比為：MgBy∶ X＝1∶(0.01-1)。 【當前權利人】中國科學院電工研究所 【當前專利權人地址】北京市海淀區中關村北二條6號 【統一社會信用代碼】121000004000124147 【被引證次數】8 【被自引次數】2.0 【被他引次數】6.0 【家族被引證次數】8
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