【摘要】一種基于無線通信網(wǎng)絡(luò)的環(huán)境自動(dòng)遠(yuǎn)程監(jiān)控系統(tǒng)，包括信息采集模塊、數(shù)據(jù)無線網(wǎng)絡(luò)傳輸模塊、遠(yuǎn)程接收及監(jiān)控平臺模塊，信息采集模塊通過通訊電纜與數(shù)據(jù)無線網(wǎng)絡(luò)傳輸模塊相連，數(shù)據(jù)無線網(wǎng)絡(luò)傳輸模塊與遠(yuǎn)程接收及監(jiān)控平臺模塊通過無線通信網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行信號傳輸
【摘要】 本發(fā)明涉及一種不需熒光粉轉(zhuǎn)換的白光GaN發(fā)光二極管外延材料及制法，即在藍(lán)寶石或SiC襯底上用常規(guī)半導(dǎo)體器件沉積技術(shù)依次生長初始生長層、本征GaN緩沖層、n型GaN層、InGaN弛豫層、InGaN多量子結(jié)構(gòu)發(fā)光層、p型AlGaN夾層和p型GaN層；再用該外延材料制做單管芯白光發(fā)光二極管；本方法保留已有普通單色光發(fā)光二極管器件制做工藝，僅對生長氮化鎵基發(fā)光材料的生長過程進(jìn)行改進(jìn)，提高In組分達(dá)到形成In量子點(diǎn)，增加一個(gè)應(yīng)力釋放層，在不增加器件復(fù)雜性的前提下，從根本上降低了白光發(fā)光二極管成本，增加了光出射效率和利用效率，克服了熒光粉轉(zhuǎn)換而成的白光發(fā)光二極管的缺點(diǎn)，提高了白光發(fā)光二極管的整體性能。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學(xué)院物理研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100080北京市海淀區(qū)中關(guān)村南三街8號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610065103.1 【申請日】2006-03-17 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101038947A 【公開公告日】2007-09-19 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L33/00; H01L33/04 【發(fā)明人】陳弘; 賈海強(qiáng); 郭麗偉; 周均銘; 王曉暉; 汪洋; 裴曉將 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種不需熒光粉轉(zhuǎn)換的白光GaN發(fā)光二極管外延材料，包括： 一襯底，以及依次覆于襯底表面之上的初始生長層和本征GaN緩沖層，其特 征在于，還包括依次覆于本征GaN緩沖層之上的n型GaN層、InGaN弛豫層、InGaN 多量子結(jié)構(gòu)發(fā)光層、p型AlGaN夾層和p型GaN層； 所述襯底為藍(lán)寶石或者SiC襯底或硅襯底； 所述初始生長層為AlN層或者GaN層； 所述本征GaN緩沖層為GaN層、AlN層、AlGaN層、InGaN層、InAlN層、 InAlGaN層或者這幾種合金組合而成的在異質(zhì)襯底上外延的過渡層； 所述n型GaN層為GaN層、AlN層、AlGaN層、InGaN層、InAlN層、InAlGaN 層或者這幾種合金組合的n型歐姆接觸的接觸層； 所述InGaN弛豫層為InzGa1-zN層，其中z為0～0.2； 所述InGaN多量子結(jié)構(gòu)發(fā)光層為由勢壘層InyGa1-yN和量子阱層InxGa1-xN組 成的發(fā)光二極管的有源層，其中y＜x，0.1＜x＜0.3，0＜y＜0.15；所述量子阱層InxGa1 xN 由量子點(diǎn)和浸潤層組成或者由相分凝而產(chǎn)生的兩個(gè)不同組分的量子結(jié)構(gòu)組成； 所述勢壘層InyGa1-yN和量子阱層InxGa1-xN層的摻雜濃度為0～1×1018/cm3，量子 阱的周期數(shù)為1～20； 所述p型AlGaN夾層為AlmGa1-mN夾層，其中m為0～0.2； 所述p型GaN層為GaN層、InAlN層、AlGaN層、InAlGaN層或這幾種合 金組合的制備p型歐姆接觸的接觸層。 微信 【當(dāng)前權(quán)利人】中國科學(xué)院物理研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市海淀區(qū)中關(guān)村南三街8號 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】12100000400012174C 【被引證次數(shù)】38 【被自引次數(shù)】5.0 【被他引次數(shù)】33.0 【家族被引證次數(shù)】38
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