【摘要】一種啟動受保護分區的方法，包括以下步驟：將安全初始化指令和域管理器中至少安全初始化指令加載到第一安全存儲區域；準備并執行處理器的安全進入指令；從第一安全存儲區域加載安全初始化指令并進行完整性校驗，在完整性校驗通過后運行安全初始化指令
【摘要】 本發明涉及驅動電路技術領域，一種功率MOSFET驅動電路。包括遲滯比較器、開關驅動級、過流保護電路模塊，遲滯比較器將外部控制信號與參考電平比較，判決得到開關驅動的控制信號，開關驅動級電路的對功率MOSFET作驅動輸出，功率MOSFET導通時的漏端電壓引入過流保護電路輸入端，與基準比較，實現過電流保護，輸入信號Vin通過遲滯比較器與基準電壓Vref比較，判決得到邏輯控制信號Vol，Vol與過流信號Vx一起控制開關功率級，實現過電流保護，Vx為低電平時，開關功率級輸出電平邏輯與Vol信號相同。本發明適于在集成開關電源及其控制電路等集成電路內使用。。-官網 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院半導體研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100083北京市海淀區清華東路甲35號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610011652.0 【申請日】2006-04-13 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101056047A 【公開公告日】2007-10-17 【公開公告年份】2007 【發明人】高峰; 李春寄; 劉忠立; 于芳 【主權項內容】1、一種功率MOSFET驅動電路，其特征在于：通過控制延時避免 輸出驅動級同時導通，電路中利用功率MOSFET導通時的漏端電壓實現過 電流保護，包括遲滯比較器、開關驅動級、過流保護電路模塊，遲滯比 較器將外部控制信號與參考電平比較，判決得到開關驅動的控制信號， 開關驅動級電路的對功率MOSFET作驅動輸出，功率MOSFET導通時的漏 端電壓引入過流保護電路輸入端，與基準比較，實現過電流保護， 輸入信號Vin通過遲滯比較器與基準電壓Vref比較，判決得到邏輯 控制信號Vo1，Vo1與過流信號Vx一起控制開關功率級，Vx為高電平時， 開關功率級輸出為低電平，功率MOSFET關斷，實現過電流保護，Vx為 低電平時，開關功率級輸出電平邏輯與Vo1信號相同。 【當前權利人】中國科學院半導體研究所 【當前專利權人地址】北京市海淀區清華東路甲35號 【統一社會信用代碼】12100000400012385U 【被引證次數】30 【被他引次數】30.0 【家族被引證次數】30
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