【摘要】本發明涉及一種數據處理系統，包括移動存儲裝置，用于該裝置的識別信息和第一使用數據；計算機，與移動存儲裝置相連接，用于上傳移動存儲裝置的識別信息和接收數據；終端裝置，與移動存儲裝置相連接，用于對移動存儲裝置的識別，根據該移動存儲裝置的
【摘要】 一種具有氮化鉿薄中間層的SOI型復合可協變層襯底，其特征在于，包括如下幾部分：一常規SOI可協變襯底，包括起支撐作用的底部Si(100)襯底、中間起解偶合作用的氧化硅絕緣層，頂部起失配應變協調作用的超薄Si單晶可協變層；一具有立方結構的氮化鉿薄中間層，制備在常規SOI可協變襯底的頂部超薄Si單晶可協變層上，并與之一起構成復合可協變層，共同協調失配應變，從而得到一種SOI型復合可協變層襯底；一大失配外延層，與Si襯底1有較大晶格失配，制備在立方氮化鉿薄中間層上，并與前兩部分一起構成大失配異質結構材料。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院半導體研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100083北京市海淀區清華東路甲35號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610003530.7 【申請日】2006-02-09 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101017831A 【公開公告日】2007-08-15 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L27/12 【發明人】楊少延; 陳涌海; 李成明; 范海波; 王占國 【主權項內容】1.一種具有氮化鉿薄中間層的SOI型復合可協變層襯 底，其特征在于，包括如下幾部分： 一常規SOI可協變襯底，包括起支撐作用的底部Si(1 00)襯底、中間起解偶合作用的氧化硅絕緣層，頂部起失配 應變協調作用的超薄Si單晶可協變層； 一具有立方結構的氮化鉿薄中間層，制備在常規SOI可協 變襯底的頂部超薄Si單晶可協變層上，并與之一起構成復合 可協變層，共同協調失配應變，從而得到一種SOI型復合可協 變層襯底； 一大失配外延層，與Si襯底1有較大晶格失配，制備在 立方氮化鉿薄中間層上，并與前兩部分一起構成大失配異質結 構材料。 【當前權利人】中國科學院半導體研究所 【當前專利權人地址】北京市海淀區清華東路甲35號 【統一社會信用代碼】12100000400012385U
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