【摘要】一種具有非連續導電膜的薄膜晶體管，包括襯 底、設置在襯底上的柵極、絕緣層、設置在絕緣層上面的半導 體層以及分別設置在半導體上面的源極和漏極，其技術特征是 在源極和漏極之間設置一層非連續島狀導電薄膜，該非連續島 狀導電薄膜可以設置在半
【摘要】 一種高溫沉降分離拜爾法赤泥的方法，涉及一種 氧化鋁生產過程中赤泥分離方法。其特征在于其沉降分離過程 為將拜耳法溶出自蒸發器料漿經少量稀釋，稀釋比例為赤泥洗 液占料漿總量的10～30％，同時加入高分子絮凝劑聚丙烯酰胺 PAM，加入量10～30ppm，然后進入高溫壓力沉降槽分離。料 漿在140～150℃高溫沉降槽中停留時間0.5～1.5小時，溢流作 為粗液，經自蒸發器去葉濾工序，精液進行超高濃度鋁酸鈉溶 液分解，底流經自蒸發器后進入赤泥洗滌工序。本發明的方法 解決了超高濃度鋁酸鈉溶液分解的原液問題，為超高濃度鋁酸 鈉溶液分解技術和無種分母液蒸發拜耳法新工藝的實現提供 必要條件，通過縮短流程、減少氧化鋁水解損失達到降能節耗 調生產效益的目的。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國鋁業股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】100814北京市海淀區復興路乙12號中國鋁業股份有限公司 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610099061.3 【申請日】2006-07-18 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1899964A 【公開公告日】2007-01-24 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】C01F7/04; B01D21/00; C01F7/00 【發明人】楊志民; 顧松青; 武國寶 【主權項內容】1.一種高溫沉降分離拜爾法赤泥的方法，其特征在于其沉降分離過程為將 拜耳法溶出自蒸發器料漿經少量稀釋，同時加入高分子絮凝劑聚丙烯酰胺PAM， 然后進入高溫壓力沉降槽分離。料漿在140～150℃高溫沉降槽中停留時間0.5～ 1.5小時，溢流作為粗液，經自蒸發器去葉濾工序，底流經自蒸發器后進入赤泥 洗滌工序，葉濾得到的精液進行超高濃度鋁酸鈉溶液分解。 ： 【當前權利人】中國鋁業股份有限公司 【當前專利權人地址】北京市海淀區復興路乙12號中國鋁業股份有限公司 【專利權人類型】其他股份有限公司(上市) 【統一社會信用代碼】911100007109288314 【被引證次數】2 【被他引次數】2.0 【家族被引證次數】2
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