【摘要】一種利用礦山選鈦尾礦制備金屬陶瓷Ti－C－N 復合材料的方法，屬于綜合利用礦山選鈦尾礦及金屬陶瓷材料 制備技術領域。以攀鋼選鈦后尾礦為主要原料，通過過篩細選， 加入碳粉作為還原劑在氮氣爐中合成金屬陶瓷材料，合成的材 料主晶相為Fe3
【摘要】 一種具有非連續導電膜的薄膜晶體管，包括襯 底、設置在襯底上的柵極、絕緣層、設置在絕緣層上面的半導 體層以及分別設置在半導體上面的源極和漏極，其技術特征是 在源極和漏極之間設置一層非連續島狀導電薄膜，該非連續島 狀導電薄膜可以設置在半導體層之上，也可以設置在絕緣層和 半導體層之間。采用這種結構后，薄膜晶體管的導通電流可以 增大5倍以上，而且器件的制備工藝和結構簡單，只是增加了 一層導電薄膜。本發明可以用于需要大電流的各類平板顯示器 件中，也可用于需要大電流的傳感器件和其它多種電子器件 中。 【專利類型】發明申請 【申請人】清華大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】100084北京市100084－82信箱 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610114425.0 【申請日】2006-11-10 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1949542A 【公開公告日】2007-04-18 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100508214C 【授權公告日】2009-07-01 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L29/786; H01L29/66 【發明人】李德杰 【主權項內容】1.一種具有非連續導電膜的薄膜晶體管，依次包括襯底(10)、設置在襯底上的柵極(11)、 絕緣層(14)、設置在絕緣層上面的半導體層(15)以及分別設置在半導體層上面的源極(12) 和漏極(13)，其特征在于：在所述的源極(12)和漏極(13)之間增加一層島狀非連續導電 薄膜(16)，所述的島狀非連續導電薄膜(16)設置在半導體層(15)的上面。 【當前權利人】清華大學 【當前專利權人地址】北京市100084-82信箱 【專利權人類型】公立 【統一社會信用代碼】12100000400000624D 【被引證次數】6 【被他引次數】6.0 【家族引證次數】2.0 【家族被引證次數】6
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