【摘要】本實用新型是一種一次性應急尿袋，包括柔性的袋體，袋體內裝有固化劑和殺菌劑。袋體的底部有兩個夾層，其中位于下部的夾層中裝有固化劑，位于上部的夾層中裝有殺菌劑。固化劑為高分子吸水樹脂、改性淀粉、丙烯酰胺中的一種。殺菌劑為含有活性銀的固體
【摘要】 本發(fā)明提供一種降低GaN單晶膜與異質基底間應力的方法，屬于光電材料和器件領域。該方法包括：在藍寶石等異質基底上生長GaN薄膜，采用激光透過藍寶石等異質襯底，輻照生長在基底上的GaN薄膜，在GaN薄膜底部獲得預分解態(tài)層，實現(xiàn)了釋放GaN膜層中的應力應變，降低GaN膜與異質基底間應力的目的。本發(fā)明緩解由于應力而導致的GaN單晶開裂問題，可導致更高晶體質量的材料生長。 -官網(wǎng) 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】北京大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】100871北京市海淀區(qū)頤和園路5號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610167605.5 【申請日】2006-12-19 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101017775A 【公開公告日】2007-08-15 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100505166C 【授權公告日】2009-06-24 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L21/20; H01L21/268; H01L21/02 【發(fā)明人】康香寧; 張國義; 吳潔君; 趙璐冰; 童玉珍; 楊志堅 【主權項內容】1、一種降低GaN單晶膜與異質基底間應力的方法，其步驟如下： 1)在異質基底上生長GaN薄膜； 2)采用激光透過異質基底，輻照生長在基底上的GaN薄膜，在GaN 薄膜底部獲得預分解態(tài)層，該預分解態(tài)層降低了GaN膜與異質基底間 應力。 【當前權利人】東莞市中鎵半導體科技有限公司 【當前專利權人地址】廣東省東莞市企石鎮(zhèn)科技工業(yè)園 【專利權人類型】公立 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000400002259P 【引證次數(shù)】2.0 【被引證次數(shù)】13 【自引次數(shù)】2.0 【被自引次數(shù)】1.0 【被他引次數(shù)】12.0 【家族引證次數(shù)】10.0 【家族被引證次數(shù)】13
未經(jīng)允許不得轉載：http://m.mhvdw.cn/1776178603.html
喜歡就贊一下
