【摘要】本實用新型公開了一種高壓倍加器整流板，包括印制板、限流電阻、高頻高壓整流硅堆、焊盤和單芯插座，其中焊盤為五行，五行焊盤與印制板中心等距對稱分布在印制板上，焊盤之間連接有高頻高壓整流硅堆或限流電阻。為了增加焊盤之間的沿面放電的距離，在
【摘要】 本發明公開了一種制備光子晶體的方法，該方法 采用LB膜方法、自組裝法或者旋涂法將膠體微球組成規則排 列的單層或多層膠體晶體薄膜，然后再用這種薄膜作為模板， 利用水熱或溶劑熱的方法在半導體單晶基片上制備二維或三 維光子晶體。本發明工藝過程非常簡單，只需要在晶片覆蓋膠 體微球模板后，通過水熱或溶劑熱的方法，就能在基片上外延 生長出所需要的微納米結構。由于外延層是在基片的基礎上生 長，所以其結構和性質與基底完全相同。并且可以制備大面積 的晶片，這樣提高了單位成品制備效率。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院力學研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100080北京市海淀區北四環西路15號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610113418.9 【申請日】2006-09-27 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1936105A 【公開公告日】2007-03-28 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100395377C 【授權公告日】2008-06-18 【授權公告年份】2008.0 【發明人】藍鼎; 王育人; 張蔭民 【主權項內容】1、一種制備光子晶體的方法，其特征在于，采用LB膜方法、自組 裝法或者旋涂法將膠體微球組成規則排列的單層或多層膠體晶體薄膜， 然后再用這種薄膜作為模板，利用水熱或溶劑熱的方法在半導體單晶基 片上制備二維或三維光子晶體。 【當前權利人】中國科學院力學研究所 【當前專利權人地址】北京市海淀區北四環西路15號 【統一社會信用代碼】1210000040001222XA 【被引證次數】15 【被自引次數】2.0 【家族被引證次數】15
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