【摘要】一種制備氧化鋅薄膜材料的方法，特別是指一種利用SOI可協(xié)變襯底，采用磁控濺射設(shè)備制備生長(zhǎng)氧化鋅薄膜材料的方法，其特征在于，包括如下步驟：步驟1：選用頂部具有超薄硅單晶層的SOI材料作為硅基可協(xié)變襯底；步驟2：將濺射靶材裝入磁控濺射設(shè)
【摘要】 本實(shí)用新型涉及一種小抽屜連接支肘板的寫(xiě)字臺(tái)，具體來(lái)說(shuō)，主要適用于辦公室和家庭的寫(xiě)字臺(tái)。在桌面板下面的左、右側(cè)設(shè)有可推拉的小抽屜，在左、右小抽屜相對(duì)的屜旁板內(nèi)板面的頂端分別設(shè)置以?xún)?nèi)凹狀弧形邊相對(duì)，并鉸接的左支肘板和右支肘板；所述左、右小抽屜相對(duì)的屜旁板內(nèi)板面的頂端用可翻轉(zhuǎn)180°的合頁(yè)分別連接左、右支肘板的豎直側(cè)面。從而，支肘板的翻轉(zhuǎn)不占用抽屜下方的空間，而且支肘板支撐牢靠，同時(shí)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用方便。。： 【專(zhuān)利類(lèi)型】實(shí)用新型 【申請(qǐng)人】蘇垣 【申請(qǐng)人類(lèi)型】個(gè)人 【申請(qǐng)人地址】100081北京市海淀區(qū)中央民族大學(xué)宿舍2高樓202室 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】北京市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200620120549.5 【申請(qǐng)日】2006-06-22 【申請(qǐng)年份】2006 【公開(kāi)公告號(hào)】CN200950903Y 【公開(kāi)公告日】2007-09-26 【公開(kāi)公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN200950903Y 【授權(quán)公告日】2007-09-26 【授權(quán)公告年份】2007.0 【IPC分類(lèi)號(hào)】A47B1/04; A47B13/10; A47B88/00; A47B1/00; A47B13/08 【發(fā)明人】蘇垣 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種小抽屜連接支肘板的寫(xiě)字臺(tái)，在桌面板下面的左、右側(cè)設(shè)有可推 拉的小抽屜，其特征是，在左、右小抽屜相對(duì)的屜旁板內(nèi)板面的頂端分別設(shè)置 以?xún)?nèi)凹狀弧形邊相對(duì)，并鉸接的左支肘板和右支肘板。 【當(dāng)前權(quán)利人】蘇垣 【當(dāng)前專(zhuān)利權(quán)人地址】北京市海淀區(qū)中央民族大學(xué)宿舍2高樓202室 【引證次數(shù)】5.0 【被引證次數(shù)】1 【自引次數(shù)】1.0 【他引次數(shù)】4.0 【被自引次數(shù)】1.0 【家族引證次數(shù)】5.0 【家族被引證次數(shù)】1
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