【摘要】本發(fā)明公開了一種采用連續(xù)磁控濺射物理氣相 沉積制備Fe－6.5wt％Si薄板方法，以單晶或多晶硅為陰極靶， 以低硅鋼帶為陽極，采用磁控濺射物理氣相沉積方式在低硅硅 鋼帶單面或雙面濺射沉積硅單質(zhì)薄膜；隨后在高溫中擴(kuò)散，使 表層硅原子向
【摘要】 根據(jù)本發(fā)明，提出了一種虛擬網(wǎng)絡(luò)服務(wù)派生和使用裝置，包括：網(wǎng)絡(luò)服務(wù)輸入部件，接收需要虛擬的網(wǎng)絡(luò)服務(wù)，并傳送到服務(wù)虛擬部件；服務(wù)虛擬部件，判斷所述待虛擬的網(wǎng)絡(luò)服務(wù)的虛擬化類型，以便選擇服務(wù)虛擬部件中所配置的聚類接口、輸入轉(zhuǎn)換接口、輸出轉(zhuǎn)換接口中的一個或多個對所述網(wǎng)絡(luò)服務(wù)進(jìn)行虛擬化；虛擬服務(wù)存儲部件，用于存儲虛擬化的網(wǎng)絡(luò)服務(wù)及其參數(shù)；以及虛擬服務(wù)輸出部件，調(diào)用虛擬服務(wù)存儲部件中所存儲的虛擬化的網(wǎng)絡(luò)服務(wù)的參數(shù)來呈現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)服務(wù)的服務(wù)執(zhí)行結(jié)果。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學(xué)院計算技術(shù)研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100080北京市海淀區(qū)中關(guān)村科學(xué)院南路6號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610072076.0 【申請日】2006-04-06 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101051984A 【公開公告日】2007-10-10 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100488153C 【授權(quán)公告日】2009-05-13 【授權(quán)公告年份】2009.0 【發(fā)明人】房俊; 韓燕波; 梁英; 李厚福 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種虛擬網(wǎng)絡(luò)服務(wù)派生和使用方法，包括： 接收需要虛擬的網(wǎng)絡(luò)服務(wù)； 判斷所述網(wǎng)絡(luò)服務(wù)的虛擬化類型，以便選擇聚類接口、輸入轉(zhuǎn)換 接口、輸出轉(zhuǎn)換接口中的一個或多個對所述網(wǎng)絡(luò)服務(wù)進(jìn)行虛擬化；以 及 在使用網(wǎng)絡(luò)服務(wù)時，調(diào)用虛擬化的網(wǎng)絡(luò)服務(wù)的參數(shù)來呈現(xiàn)所述網(wǎng) 絡(luò)服務(wù)的服務(wù)執(zhí)行結(jié)果。 【當(dāng)前權(quán)利人】北京英諾泰合通信設(shè)備有限公司 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000400012342E 【被引證次數(shù)】5 【被他引次數(shù)】5.0 【家族被引證次數(shù)】5
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