【摘要】本發(fā)明公開了一種鞋內(nèi)安全檢測儀，其特征在于它的電路結(jié)構(gòu)包括：發(fā)射部分，由設在每只腳底所在平面上的發(fā)射線圈和不同振蕩頻率產(chǎn)生電路組成；接收部分，由接收線圈組成，其輸出端分別接各自的前置放大器；解調(diào)器，該解調(diào)器連接在前置放大器輸出端與微
【摘要】 本發(fā)明公開了一種采用連續(xù)磁控濺射物理氣相 沉積制備Fe－6.5wt％Si薄板方法，以單晶或多晶硅為陰極靶， 以低硅鋼帶為陽極，采用磁控濺射物理氣相沉積方式在低硅硅 鋼帶單面或雙面濺射沉積硅單質(zhì)薄膜；隨后在高溫中擴散，使 表層硅原子向內(nèi)擴散直至鋼帶中的整體含硅量提高到6.5wt％， 獲得具有優(yōu)異軟磁性能的高硅硅鋼帶。由于本發(fā)明的方法工作 效率高，制備過程的工藝參數(shù)容易控制，產(chǎn)品的質(zhì)量容易得到 保證，因此極其適合工業(yè)化應用。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】北京航空航天大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】100083北京市海淀區(qū)學院路37號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610114114.4 【申請日】2006-10-30 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1944706A 【公開公告日】2007-04-11 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100457965C 【授權公告日】2009-02-04 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】C23C14/35; C23C14/14; C23C14/54 【發(fā)明人】畢曉昉; 田廣科 【主權項內(nèi)容】1、一種采用連續(xù)磁控濺射物理氣相沉積制備Fe-6.5wt％Si薄板方法，其特征在于 有下列步驟： 步驟一：選取厚度為0.1～0.35mm的低硅鋼帶作基板 先用濃度為4～10％的稀鹽酸清洗3～10min； 再用濃度為75％的酒精進行清洗5～10min，吹干待用； 步驟二：選取硅Si靶材 選取200～300mm×100～150mm×2～5mm的硅Si，待用； 步驟三：將經(jīng)步驟一處理后的低硅鋼帶安裝在磁控濺射儀的陽極板上；再將經(jīng)步 驟二處理后的硅Si靶材放入磁控濺射儀中，作為陰極； 抽真空度至10-2～10-3Pa后，通入氬氣使磁控濺射儀中的壓力穩(wěn)定在1～10Pa 范圍； 調(diào)節(jié)磁控濺射共沉積條件： 預熱低硅鋼帶至500℃～800℃； 放電電壓280V～350V、電流0.2A～0.6A、沉積速率為0.5～1.2μm/min； 在該條件下進行低硅鋼帶表面硅薄膜沉積，制備得到鍍膜鋼帶； 步驟四：將經(jīng)步驟三處理后的鍍膜鋼帶進行1000～1250℃高溫擴散，擴散時 間5～60min，即得到斷面成分均勻的Fe-5.5～6.7wt％Si薄板材料。 【當前權利人】北京航空航天大學 【當前專利權人地址】北京市海淀區(qū)學院路37號 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000400011227Y 【引證次數(shù)】1.0 【被引證次數(shù)】14 【他引次數(shù)】1.0 【被自引次數(shù)】1.0 【被他引次數(shù)】13.0 【家族引證次數(shù)】5.0 【家族被引證次數(shù)】14
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